[發明專利]一種外延片的制作方法、芯片的制作方法及芯片在審
| 申請號： | 202011419880.8 | 申請日： | 2020-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN112968085A | 公開（公告）日： | 2021-06-15 |
| 發明（設計）人： | 張雪梅;王濤 | 申請（專利權）人： | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 謝松 |
| 地址： | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 外延 制作方法 芯片 | ||
1.一種外延片的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
在基底上依次生長N型氮化鎵層、多量子阱有源層和第一P型氮化鎵層，獲得氮化鎵基外延片；
在所述氮化鎵基外延片上生長第一P型氮化鎵層的一側生長耐高溫膜層；
將所述耐高溫膜層選擇性刻蝕，獲得圖案化的氮化鎵基外延片；
在所述圖案化的氮化鎵基外延片上生長第二P型氮化鎵層；
將所述耐高溫膜層去除，得到表面粗化的外延片。
2.根據權利要求1所述的外延片的制作方法，其特征在于，所述步驟將所述耐高溫膜層選擇性刻蝕，獲得圖案化的氮化鎵基外延片，具體包括：
將生長了耐高溫膜層的所述氮化鎵基外延片進行濕法刻蝕或者光刻法刻蝕，獲得圖案化的氮化鎵基外延片。
3.根據權利要求1所述的外延片的制作方法，其特征在于，所述步驟將所述耐高溫膜層去除，得到表面粗化的氮化鎵基外延片，具體包括：
將生長了第二P型氮化鎵層的圖案化的氮化鎵基外延片置于緩沖氧化物刻蝕液中沖洗，去除耐高溫膜層，獲得表面粗化的氮化鎵基外延片。
4.根據權利要求1所述的外延片的制作方法，其特征在于，所述耐高溫膜層為二氧化硅膜層或氮化硅膜層。
5.根據權利要求1所述的外延片的制作方法，其特征在于，所述耐高溫膜層的厚度大小為500－10000埃。
6.根據權利要求1所述的外延片的制作方法，其特征在于，所述基底為藍寶石襯底。
7.一種芯片的制作方法，其特征在于，提供一如權利要求1－6任意一項所述的外延片；所述方法包括如下步驟：
在所述外延片上生長所述第二P型氮化鎵層的一側沉積平坦層；
將所述平坦層拋光；
在拋光后的所述平坦層背離所述第二P型氮化鎵層的一側生長反光膜層，獲得反光的氮化鎵基外延片；
在所述反光的氮化鎵基外延片上沉積電極，制成芯片。
8.根據權利要求7所述的芯片的制作方法，其特征在于，所述平坦層為二氧化硅層。
9.根據權利要求7所述的芯片的制作方法，其特征在于，所述反光膜層包括鋁金屬層、銀金屬層、分布式布拉格反射鏡中的一種或多種。
10.一種芯片，其特征在于，所述芯片采用如權利要求7－9任意一項所述的芯片的制作方法制備。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于重慶康佳光電技術研究院有限公司，未經重慶康佳光電技術研究院有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011419880.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：外延結構的轉移方法
- 下一篇：一種飛機起落架地面牽引車
