[發明專利]一種多芯片并聯封裝模塊內芯片峰值結溫的無損測試方法

在審

• 申請號: 202011419747.2
• 申請日: 2020-12-06
• 公開（公告）號: CN112698173A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 郭春生;魏磊;張仕煒;趙迪
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 沈波

1.一種多芯片并聯封裝模塊內芯片峰值結溫的無損測試方法，實現該方法的裝置包括被測含多芯片并聯開關模塊(1)、并聯測試夾具(2)、溫箱或溫控平臺(3)、測試源表(4)；所述溫箱或溫控平臺(3)用于對所述模塊(1)加溫，所述測試源表(4)用于給所述被測模塊(1)施加不同電流，測量導通壓降；其特征在于，所述測試方法包括以下步驟：

步驟一：將所述模塊(1)放置于所述器件夾具(2)上，后將所述模塊(1)放置于所述溫箱或溫控平臺(3)，利用所述溫箱或溫控平臺(3)給所述模塊(1)加熱；

步驟二：設置所述溫箱或溫控平臺(3)初始溫度，使得所述模塊(1)溫度穩定在所述溫箱或溫控平臺(3)設定溫度，溫度穩定后，利用所述測試源表(4)按一定步長施加校溫電流，測試得到不同校溫電流下所述模塊(1)的導通壓降；

步驟三：按一定步長改變所述溫箱或溫控平臺(3)溫度，重復步驟二中校溫電流測試，測出不同溫度、校溫電流下所述模塊(1)的導通壓降；

步驟四：根據特定測試電流與模塊(1)并聯芯片的數量，將校溫電流轉換成電流占比，然后繪制基于特定測試電流的不同電流占比下電壓-溫度曲線簇；

步驟五：對所述模塊(1)施加正常工作大電流和特定測試電流，待工作穩定后，斷開工作電流，獲取特定測試電流下所述模塊(1)的導通壓降；

步驟六：根據所述模塊(1)的基于特定測試電流的導通壓降，校對不同電流占比下電壓-溫度曲線簇，獲取對應電流占比與溫度值，繪制特定電流下電流占比-溫度曲線；

步驟七：根據不同特定測試電流下電流占比-溫度曲線交點，確定所述被測含多芯片并聯開關模塊(1)峰值結溫以及對應電流占比。

2.根據權利要求1所述的一種多芯片并聯封裝模塊內芯片峰值結溫的無損測試方法，其特征在于，無需測量所述被測含多芯片并聯開關模塊(1)內各芯片電學參數，根據所述被測含多芯片并聯開關模塊(1)在特定電流下導通壓降，即可獲取所述被測含多芯片并聯開關模塊(1)最高芯片結溫，即峰值結溫。

3.根據權利要求1所述的一種多芯片并聯封裝模塊內芯片峰值結溫的無損測試方法，其特征在于，步驟一所述的器件加熱中，對于分立器件通過所述并聯測試夾具(2)并聯放置于所述溫箱或溫控平臺(3)上加熱，多芯片模塊直接放置于所述溫箱或溫控平臺(3)上加熱。

4.根據權利要求1所述的一種多芯片并聯封裝模塊內芯片峰值結溫的無損測試方法，其特征在于，步驟二所述的校溫電流為不引起所述被測含多芯片并聯開關模塊(1)的小電流，且為所述被測含多芯片并聯開關模塊(1)的干路總電流，由于校溫電流小，功耗低，避免器件產生自溫升。

5.根據權利要求1所述的一種多芯片并聯封裝模塊內芯片峰值結溫的無損測試方法，其特征在于，步驟四所述的根據特定測試電流與并聯所述被測含多芯片并聯開關模塊(1)內芯片的數量，將校溫電流轉換成電流占比的具體轉換公式如下：

其中電流占比為P，校溫電流為I_A，特定測試電流為I_B，并聯器件數量為N。

6.根據權利要求1所述的一種多芯片并聯封裝模塊內芯片峰值結溫的無損測試方法，其特征在于，步驟六所述的特定電流下電流占比-溫度曲線方法是：將特定電流下測得的所述被測含多芯片并聯開關模塊(1)的導通壓降值，代入每個特定測試電流相對應的不同電流占比下電壓-溫度曲線簇，得到每個特定測試電流下的一系列不同電流占比下溫度值，然后繪制擬合得到電流占比-溫度變化曲線。

7.根據權利要求1所述的一種多芯片并聯封裝模塊內芯片峰值結溫的無損測試方法，其特征在于，測試電流不少兩個；特定電流不少于兩個。