[發明專利]質子注量率測量裝置及系統

有效

• 申請號: 202011419740.0
• 申請日: 2020-12-07
• 公開（公告）號: CN112558138B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 張艷文;郭剛;劉建成;覃英參;殷倩;肖舒顏;楊新宇
• 申請（專利權）人: 中國原子能科學研究院
• 主分類號: G01T1/29
• 分類號: G01T1/29;G01T7/00
• 代理公司: 北京市創世宏景專利商標代理有限責任公司 11493
• 代理人: 王鵬鑫

1.一種質子注量率測量裝置，其特征在于，包括：

吸收結構，用于吸收入射的質子束流；

補償結構，沿所述質子束流的入射方向設置于所述吸收結構之前，在測量質子束流注量率過程中為所述吸收結構提供二次電子發射補償；

其中，所述吸收結構和所述補償結構采用的材料均為石墨；

所述補償結構包括補償元件和準直元件，所述準直元件用于使得入射的質子束流具有準直特性；

所述裝置還包括絕緣元件，設置于所述吸收結構和所述補償結構之間；

所述準直元件、所述補償元件、所述絕緣元件和所述吸收結構依次貼合設置。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述吸收結構為沿垂直于所述質子束流的入射方向設置的柱狀結構。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，

所述補償元件為垂直于所述質子束流的入射方向設置的片狀結構。

4.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述準直元件包括：

準直孔，為沿所述質子束流的入射方向透穿于所述準直元件的貫穿孔。

5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括：

筒狀結構，為單側開口的殼體結構，用于為所述裝置提供支撐。

6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述吸收結構設置于所述筒狀結構的底部，所述吸收結構的外壁面與所述筒狀結構的內壁面貼合設置。

7.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述筒狀結構包括：

連接孔，設置于所述筒狀結構的底部，用于作為所述吸收結構的引出孔。

8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括：

引出電極，設置于所述連接孔上，并與所述吸收結構接觸連接，用于導出所述吸收結構的測量電信號。

9.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述筒狀結構的材料為聚四氟乙烯。

10.一種質子注量率測量系統，其特征在于，包括：

如權利要求8所述的裝置；

靜電計，與所述裝置的引出電極連接，用于測量并顯示所述引出電極導出的測量電信號。