[發明專利]一種具有P面反射電極結構的深紫外LED及其制備方法

有效

• 申請號: 202011418472.0
• 申請日: 2020-12-07
• 公開（公告）號: CN113257973B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 陳芳;莫春蘭;吳小明;夏邦美;李新華;陶喜霞;蔣愷;江風益
• 申請（專利權）人: 南昌大學;南昌硅基半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 江西省專利事務所 36100
• 代理人: 張文

1.一種具有P面反射電極結構的深紫外LED，所述LED由下至上依次包括：基板、金屬層、P面反射電極、P面鈍化層、P型摻雜層、有源區、N型摻雜層、N面電極和N面鈍化層；其特征在于：所述P面反射電極結構由上至下依次包括Ni層、Al層、Ti層、Ag層，所述Ni層厚度為0.1nm-10nm，所述Al層厚度為100nm-300nm，所述Ti層厚度為0.2nm-7nm，所述Ag層厚度為100nm-300nm。

2.一種具有P面反射電極結構的深紫外LED的制備方法，其特征在于：具體步驟如下：

A、提供襯底；

B、在所述襯底上依次生長N型摻雜層，有源區，P型摻雜層；

C、在所述P型摻雜層15%-25%的表面形成P面鈍化層；

D、在所述P型摻雜層15%-25%的表面和P面鈍化層的表面形成P面反射電極；

E、在所述P面反射電極之上制作邦定金屬層，并與基板鍵合，去除所述襯底；

F、在所述N型摻雜層的部分表面形成N面電極；

G、在未被N面電極覆蓋的N型摻雜層表面形成N面鈍化層。

3.根據權利要求2所述的一種具有P面反射電極結構的深紫外LED的制備方法，其特征在于：在步驟D中，在所述P型摻雜層部分表面和P面鈍化層表面形成P面反射電極，包括：

A、在所述P型摻雜層15%-25%的表面和P面鈍化層的表面制備Ni層；

B、對所述Ni層進行高溫退火，退火溫度為350℃-500℃，退火時間為20s-60s；

C、在所述Ni層表面依次制備Al層、Ti層、Ag層；

D、采用掩膜版對所述Ni，Al，Ti，Ag疊層表面進行圖形化處理；腐蝕所述Ag層，腐蝕液采用氨水和雙氧水的水溶液，腐蝕時間為60s-100s腐蝕所述Al層，腐蝕液采用磷酸和雙氧水的水溶液，腐蝕時間為60s-100s。