[發(fā)明專利]襯底加工方法及利用該方法加工的襯底在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011418262.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112635309A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李瑞評(píng);曾柏翔;張佳浩;楊良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 福建晶安光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/268 | 分類號(hào): | H01L21/268;H01L21/428;B23K26/53;C09D163/10;C09D175/14;C09D167/06;C09D4/06;C09D4/02;C09D171/02;C09D171/08;C09D7/63;C09D5/20 |
| 代理公司: | 北京金咨知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11612 | 代理人: | 宋教花 |
| 地址: | 362411 福建省*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 加工 方法 利用 | ||
1.一種襯底加工方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
對(duì)襯底進(jìn)行切割處理,得到預(yù)定厚度的襯底切片;
對(duì)切割得到的襯底切片進(jìn)行甩膠處理,以在襯底切片表面形成一層液體膠平坦膜;
在所述液體膠平坦膜固化后通過聚焦激光二維掃描所述襯底切片的帶平坦膜的表面來在該襯底切片的預(yù)定深度位置產(chǎn)生破壞層;
基于所述破壞層對(duì)襯底切片進(jìn)行剝片處理;
對(duì)剝片處理后的襯底進(jìn)行拋光處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:采用紫外光對(duì)甩膠處理形成的液體膠平坦膜進(jìn)行固化處理;
所述固化后的平坦膜層的上表面粗糙度為0.5um以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述對(duì)剝片處理后的襯底進(jìn)行拋光處理之前,所述方法還包括:
對(duì)剝片處理前的襯底切片進(jìn)行清洗;和/或
對(duì)剝片處理后的襯底邊緣進(jìn)行倒角處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述切割處理為線切處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述襯底的加工過程不包括銅拋和/或研磨處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,
所述液體膠包括如下成分:預(yù)聚物50~100份、惰性樹脂20~90份、單體35~70份、光引發(fā)劑5~12份、偶聯(lián)劑2~3份及助劑1~2份。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,
所述預(yù)聚物為含雙鍵的不飽和聚合物;
所述單體選自以下材料中的一種:丙烯酸酯類、乙烯基類、乙烯基醚類、苯乙烯、丙烯酸丁酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸異冰片酯、二縮三丙二醇二丙烯酸酯、已二醇二丙烯酸酯和三羥甲基丙烷三丙烯酸酯;
所述光引發(fā)劑為以下材料中的至少一種:羰基化合物、偶氮化合物、有機(jī)硫化物、氧化還原物質(zhì)、鹵素化合物、有機(jī)金屬化合物、增咸染料;
所述惰性樹脂為聚環(huán)氧烷、聚烷二醇、聚乙烯醚、聚乙烯酯中的一種;
所述偶聯(lián)劑是硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑、鋁酸酯偶聯(lián)劑和硬脂酸鈣其中的一種或其中的幾種組成的混合物;
所述助劑選自流平劑、增稠劑中的一種或兩種的組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述含雙鍵的不飽和聚合物包括以下材料中的至少一種:聚丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、不飽和聚酯、聚烯烴和硫醇。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述襯底為金屬、合金、化合物或第四主族單質(zhì)制成的襯底。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,所述化合物包括:氧化物、氮化物、三五族化合物、二六族化合物、第四主族化合物、鹵化物、鈣鈦礦型材料、硅酸鹽、碳酸鹽或鋁酸鹽制成的襯底。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述對(duì)襯底切片進(jìn)行剝片處理的步驟包括:
對(duì)具有破壞層的襯底切片進(jìn)行熱處理,使得襯底切片從破壞層位置發(fā)生剝離;
所述熱處理的溫度范圍為200℃~2000℃。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述拋光處理減掉的厚度為所述破壞層厚度的一半以上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,
所述襯底尺寸為4寸~18寸;
所述預(yù)定厚度為80μm~15mm;
所述預(yù)定深度的值為所述預(yù)定厚度的10%~90%。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其特征在于,
所述預(yù)定厚度為80μm~15mm;
所述預(yù)定深度的值為所述預(yù)定厚度的20%~80%。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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