[發(fā)明專利]液晶顯示面板及液晶顯示面板制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011415743.7 | 申請日: | 2020-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN112526782B | 公開(公告)日: | 2023-05-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 付興凱;吳川;王國志;曹中林;八木敏文;朱偉 | 申請(專利權(quán))人: | 成都京東方顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1335 | 分類號: | G02F1/1335;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 張娜;臧建明 |
| 地址: | 610200 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液晶顯示 面板 制作方法 | ||
本發(fā)明實施例屬于顯示設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種液晶顯示面板及液晶顯示面板制作方法。本發(fā)明實施例旨在解決公共電極與陣列基板之間的距離較小,容易與陣列基板內(nèi)的電路之間形成寄生電容,進而影響液晶顯示面板的顯示效果的技術(shù)問題。本發(fā)明實施例提供了一種液晶顯示面板及液晶顯示面板制作方法,液晶顯示面板包括陣列基板、液晶層以及蓋板,液晶層位于蓋板和陣列基板之間,液晶顯示面板具有多個像素區(qū),蓋板和液晶層之間設(shè)置有遮光層,蓋板朝向遮光層的表面上設(shè)置有公共電極。通過將公共電極設(shè)置在遮光層遠離陣列基板的側(cè)面上,以增大公共電極與陣列基板間的距離,減小公共電極與陣列基板間的寄生電容。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實施例涉及顯示設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種液晶顯示面板及液晶顯示面板制作方法。
背景技術(shù)
隨著顯示技術(shù)的逐漸發(fā)展,液晶顯示面板廣泛應(yīng)用在手機、電視、電腦等顯示設(shè)備上。液晶顯示面板一般包括對盒的陣列基板和蓋板、以及位于陣列基板和蓋板之間的液晶層,陣列基板用于控制液晶層內(nèi)的液晶分子偏轉(zhuǎn),以實現(xiàn)顯示。
相關(guān)技術(shù)中,陣列基板朝向蓋板的表面設(shè)置有多個像素電極,在蓋板朝向陣列基板的表面設(shè)置有遮光層,遮光層上設(shè)置有多個開口,每一開口正對一個像素電極,在遮光層朝向陣列基板的表面以及開口對應(yīng)的蓋板上形成有公共電極;工作時,像素電極帶電,在該像素電極以及公共電極之間形成電場,以使對應(yīng)的液晶層內(nèi)液晶分子偏轉(zhuǎn),光線通過像素電極對應(yīng)的開口,以實現(xiàn)顯示。
然而,公共電極與陣列基板之間的距離較小,容易與陣列基板內(nèi)的電路之間形成寄生電容,進而影響液晶顯示面板的顯示效果。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明實施例提供一種液晶顯示面板及液晶顯示面板制作方法,以解決公共電極與陣列基板之間的距離較小,容易與陣列基板內(nèi)的電路之間形成寄生電容,進而影響液晶顯示面板的顯示效果的技術(shù)問題。
本發(fā)明實施例提供了一種液晶顯示面板,包括層疊設(shè)置的陣列基板、液晶層以及蓋板,液晶層位于蓋板和陣列基板之間,液晶顯示面板具有多個像素區(qū),蓋板和液晶層之間設(shè)置有遮光層,遮光層具有多個開口,每一開口正對一個像素區(qū);蓋板朝向遮光層的表面上設(shè)置有公共電極;
陣列基板上設(shè)置有多個像素電極,每一像素電極與一個像素區(qū)對應(yīng);陣列基板具有彩膜層,彩膜層包括陣列設(shè)置的分別與像素區(qū)對應(yīng)的紅色素彩膜、綠色素彩膜和藍色素彩膜,像素電極位于彩膜層朝向蓋板的一側(cè)。
如此設(shè)置,將公共電極設(shè)置在遮光層遠離陣列基板的側(cè)面上,以增大公共電極與陣列基板間的距離,減小公共電極與陣列基板間的寄生電容,從而減小寄生電容對液晶顯示面板顯示效果的影響。
在可以包括上述實施例的一些實施例中,像素區(qū)對應(yīng)的像素電極包括環(huán)繞像素區(qū)中心依次設(shè)置的第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域以及第四區(qū)域,第一區(qū)域和第三區(qū)域?qū)?yīng)的液晶層配向方向相反,第二區(qū)域和第四區(qū)域?qū)?yīng)的液晶層配向方向相反,且第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域以及第四區(qū)域的液晶層配向方向環(huán)繞像素區(qū)中心設(shè)置。
在可以包括上述實施例的一些實施例中,第一區(qū)域內(nèi)設(shè)置有由靠近第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一交界線的位置向背離第一交界線延伸的第一條形鏤空區(qū);第二區(qū)域內(nèi)設(shè)置有由靠近第二區(qū)域和第三區(qū)域的第二交界線的位置向背離第二交界線延伸的第二條形鏤空區(qū);第三區(qū)域內(nèi)設(shè)置有由靠近第三區(qū)域和第四區(qū)域的第三交界線的位置向背離第三交界線延伸的第三條形鏤空區(qū);第四區(qū)域內(nèi)設(shè)置有由靠近第四區(qū)域和第一區(qū)域的第四交界線的位置向背離第四交界線延伸的第四條形鏤空區(qū);第一條形鏤空區(qū)、第二條形鏤空區(qū)、第三條形鏤空區(qū)以及第四條形鏤空區(qū)均靠近像素電極的邊緣設(shè)置。
在可以包括上述實施例的一些實施例中,第一條形鏤空區(qū)、第二條形鏤空區(qū)、第三條形鏤空區(qū)以及第四條形鏤空區(qū)沿垂直于其延伸方向的寬度為4.5μm-5.5μm。
在可以包括上述實施例的一些實施例中,遮光層在陣列基板上的投影覆蓋像素電極的邊緣,并且遮光層在陣列基板上的投影覆蓋部分第一條形鏤空區(qū)、第二條形鏤空區(qū)、第三條形鏤空區(qū)以及第四條形鏤空區(qū)。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學;光學
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導結(jié)構(gòu)中的





