[發(fā)明專利]一種硅基Micro OLED微顯示器件像素定義層角度改善方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011415175.0
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN112542503A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹賀;趙錚濤;劉勝芳;鄧瓊;王志超
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107
• 代理人: 任晨晨

1.一種硅基Micro OLED微顯示器件像素定義層角度改善方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

1)、將已完成陽極制作的片子清洗后，進(jìn)行PDL層成膜，先沉積一層SiO膜層，得到基板1；

2)、對基板1，在SiO膜層上，再沉積一層SiN膜層，得到基板2；

3)、對基板2進(jìn)行涂布曝光顯影作業(yè)，得到基板3；

4)、對基板3進(jìn)行刻蝕；

5)、去除光刻膠,即得基板4。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中，對硅基Micro OLED微顯示器件PDL層沉積采用CVD沉積方式，SiO膜層厚度30nm-60nm，膜層沉積速率選擇為20A/s-30A/S。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，步驟1)中，SiO沉膜工藝參數(shù)：功率為700W±10w，壓力800mT±5mT，溫度選擇80℃±5℃，氣體選擇N₂0，流量為260sccm±15sccm，SiO膜厚控制在30nm-60nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中，沉積SiN膜層，SiN膜層厚度30nm-60nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的方法，其特征在于，步驟2)中，沉積SiN膜層采用CVD成膜工藝：功率為850W±5w，壓力1100mT±10mT，溫度選擇85℃±10℃，氣體選擇NH₃，流量為200sccm±15sccm，SiN膜厚控制在30nm-60nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)中涂布曝光顯影作業(yè)的：涂膠膠厚選擇0.5μm-0.7μm,涂膠均一性保證＜2％，軟烘溫度選擇100℃-130℃，軟烘時(shí)間選擇80s-110s；曝光采用DUV機(jī)臺曝光，能量選擇35mj/cm²-48mj/cm²；后烘穩(wěn)定控制在100℃-130℃，后烘時(shí)間控制在70s-100s；顯影溫度控制在22℃-25℃，顯影時(shí)間控制在80s-100s；硬烘溫度控制在120℃-160℃，硬烘時(shí)間控制在80s-120s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4)中，采用一步刻蝕工藝，進(jìn)行干法刻蝕作業(yè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的方法，其特征在于，步驟4)中，具體蝕刻工藝如下：蝕刻氣體選用CF₄和O₂，CF₄氣流量大小控制在10sccm-30sccm，O₂氣流量大小控制在10sccm-15sccm，壓力控制在3mTorr-10mTorr，電源功率Source Power控制在10W-30W，偏置功率Bias power控制在150W-250W；刻蝕溫度控制在15℃-30℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5)中去除光刻膠，采用濕法去膠工藝，去膠液采用NMP，去膠溫度60℃，去膠時(shí)間600s。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5)處理后，PDL角度控制在55°-63°。