[發明專利]光刻曝光方法有效
| 申請號： | 202011414133.5 | 申請日： | 2020-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN112612180B | 公開（公告）日： | 2022-10-25 |
| 發明（設計）人： | 周曙亮;趙潞明;吳長明;姚振海;金樂群;李玉華 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 曝光 方法 | ||
1.一種光刻曝光方法，其特征在于，所述光刻曝光方法包括：
將晶片的目標面劃分為曝光陣列，所述曝光陣列包括若干個曝光區域；
確定曝光區域中的目標量測曝光區域和其他曝光區域；
依次對所述其他曝光區域分別進行多次光刻曝光，在所述其他曝光區域處的晶片目標面上形成光刻圖形；在對其他曝光區域的曝光完成后，光學系統的曝光溫度維持穩定；
對所述目標量測曝光區域進行單次光刻曝光，在所述目標量測曝光區域處的晶片目標面上形成光刻圖形。
2.如權利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述在所述目標量測曝光區域處的晶片目標面上形成光刻圖形的步驟完成后，還進行：
量測目標量測曝光區域處光刻圖形的關鍵尺寸。
3.如權利要求1或2所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述確定曝光區域中的目標量測曝光區域和其他曝光區域的步驟包括：
在曝光陣列中，確定目標量測曝光區域；用于進行光刻圖形關鍵尺寸量測的曝光區域為目標量測曝光區域；
在曝光陣列中，確定除所述目標量測曝光區域以外的曝光區域，為所述其他曝光區域。
4.如權利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，多個晶片的所述曝光陣列排布相同，所述目標量測曝光區域在曝光陣列中的位置相同。
5.如權利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，若確定所述目標量測曝光區域包括多個，對所述目標量測曝光區域進行單次光刻曝光，在所述目標量測曝光區域處的晶片目標面上形成光刻圖形的步驟，包括：
依次對各個所述目標量測曝光區域進行單次光刻曝光，在所述目標量測曝光區域處的晶片目標面上形成光刻圖形。
6.如權利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，每次所述光刻曝光的曝光參數一致。
7.如權利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，對所述其他曝光區域進行的光刻曝光的次數為3次至6次。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華虹半導體（無錫）有限公司，未經華虹半導體（無錫）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011414133.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種面向高速列車高級修計劃調整方法、系統及介質
- 下一篇：一種抗震變壓器
