[發(fā)明專利]一種減小暗電流和電學(xué)串?dāng)_的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011413537.2
• 申請(qǐng)日: 2020-12-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112530986A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳多金;曠章曲;王菁;張帥;孫偉;劉志碧;陳杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京凱特來(lái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11260
• 代理人: 鄭立明;趙鎮(zhèn)勇

1.一種減小暗電流和電學(xué)串?dāng)_的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括置于半導(dǎo)體基體中的多個(gè)感光元件，相鄰的感光元件之間設(shè)有淺槽隔離(202)，所述淺槽隔離(202)區(qū)域設(shè)有復(fù)合注入層；

所述半導(dǎo)體基體的正面設(shè)有介質(zhì)層(206)，所述介質(zhì)層(206)中設(shè)有金屬互連線，并在對(duì)應(yīng)所述復(fù)合注入層的部位設(shè)有接觸孔(207)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減小暗電流和電學(xué)串?dāng)_的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述復(fù)合注入層包含高濃度低能量N型摻雜(203)、低濃度高能量N型多步摻雜(204)以及低濃度中能量P型多步摻雜(205)，所述復(fù)合注入層形成有效的濃度梯度并通過(guò)所述接觸孔(207)連接到外部偏壓或電源上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的減小暗電流和電學(xué)串?dāng)_的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述高濃度低能量N型摻雜(203)包括：As或P/10～50KeV/1E15～5E15；

所述低濃度高能量N型多步摻雜(204)包括:As或P/100～2000KeV/3E11～5E12；

所述低濃度中能量P型多步摻雜(205)包括：B/100～1000KeV/3E11～5E12。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的減小暗電流和電學(xué)串?dāng)_的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體基體為硅基底(201)，所述感光元件為光電二極管(208)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的減小暗電流和電學(xué)串?dāng)_的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述復(fù)合注入層通過(guò)外部偏壓形成電場(chǎng)，并在此電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下，不僅消除了來(lái)自襯底串?dāng)_的電子，而且也吸收了在淺槽隔離與硅基界面所產(chǎn)生的暗電流。