[發明專利]層疊陶瓷電容器

有效

• 申請號: 202011413259.0
• 申請日: 2020-12-03
• 公開（公告）號: CN112992544B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: 中野賢;村松諭;北條梨沙;野村善行
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/224
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 樸云龍

1.一種層疊陶瓷電容器，具備：

層疊體，包含層疊的多個電介質層以及多個內部電極層；和

外部電極，設置在所述層疊體的表面，并與所述內部電極層電連接，

在所述層疊陶瓷電容器中，

在所述層疊體的表面中的至少安裝面設置有硅烷偶聯劑層，

所述硅烷偶聯劑層包含氟系硅烷偶聯劑，

在將所述層疊體上的F原子相對于Ba原子的濃度比F/Ba作為硅烷偶聯劑濃度時，所述安裝面中的硅烷偶聯劑濃度為0.1以上且365以下，且比所述安裝面的對置面中的硅烷偶聯劑濃度高。

2.根據權利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述安裝面中的硅烷偶聯劑濃度為0.1以上且293以下。

3.根據權利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其中，

將所述安裝面中的硅烷偶聯劑濃度設為A，將所述對置面中的硅烷偶聯劑濃度設為B，此時，硅烷偶聯劑的濃度比B/A為0.50以下。

4.根據權利要求2所述的層疊陶瓷電容器，其中，

將所述安裝面中的硅烷偶聯劑濃度設為A，將所述對置面中的硅烷偶聯劑濃度設為B，此時，硅烷偶聯劑的濃度比B/A為0.50以下。

5.根據權利要求1～4中的任一項所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述層疊體具有：第1主面以及第2主面，在層疊方向上相對；第1側面以及第2側面，在與所述層疊方向正交的長度方向上相對；和第3側面以及第4側面，在與所述層疊方向以及所述長度方向正交的寬度方向上相對，

所述層疊體的第1主面作為安裝面，第2主面作為對置面，

所述外部電極包含：第1外部電極，設置在所述層疊體的第1側面；和第2外部電極，設置在所述層疊體的第2側面，

將從繞入到所述層疊體的第1主面的所述第1外部電極的端部到所述層疊體的第1側面的距離設為E_A1，將從繞入到所述層疊體的第2主面的所述第1外部電極的端部到所述層疊體的第1側面的距離設為E_B1，此時，繞入到主面的第1外部電極的長度比E_B1/E_A1為0以上且0.5以下，

將從繞入到所述層疊體的第1主面的所述第2外部電極的端部到所述層疊體的第2側面的距離設為E_A2，將從繞入到所述層疊體的第2主面的所述第2外部電極的端部到所述層疊體的第2側面的距離設為E_B2，此時，繞入到主面的第2外部電極的長度比E_B2/E_A2為0以上且0.5以下。

6.根據權利要求1～4中的任一項所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述層疊陶瓷電容器的層疊方向上的尺寸T為50μm以上且200μm以下。

7.根據權利要求5所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述層疊陶瓷電容器的層疊方向上的尺寸T為50μm以上且200μm以下。

8.一種層疊陶瓷電容器，具備：

層疊體，包含層疊的多個電介質層以及多個內部電極層；和

外部電極，設置在所述層疊體的表面，并與所述內部電極層電連接，

在所述層疊陶瓷電容器中，

在所述層疊體的表面中的至少安裝面設置有硅烷偶聯劑層，

所述硅烷偶聯劑層包含碳系硅烷偶聯劑，

在將所述層疊體上的Si原子相對于Ba原子的濃度比Si/Ba作為硅烷偶聯劑濃度時，所述安裝面中的硅烷偶聯劑濃度為0.91以上且38.10以下，且比所述安裝面的對置面中的硅烷偶聯劑濃度高。

9.根據權利要求8所述的層疊陶瓷電容器，其中，

將所述安裝面中的硅烷偶聯劑濃度設為A，將所述對置面中的硅烷偶聯劑濃度設為B，此時，硅烷偶聯劑的濃度比B/A為0.50以下。