[發明專利]半導體結構的制備方法以及半導體結構

在審

• 申請號: 202011412421.7
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN114597159A
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 金志勛;項金娟;李亭亭;劉青
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上存在間隙；

在所述半導體襯底上形成保護層；

在所述保護層上沉積BPSG膜，以通過所述BPSG膜對所述半導體襯底上的間隙進行填充；

對間隙填充后的半導體襯底進行退火處理，以制備所述半導體結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述對間隙填充后的半導體襯底進行退火處理之后，所述方法還包括：

在所述BPSG膜上形成氧化物層；

對所述氧化物層進行平坦化處理。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體結構為存儲器，所述半導體結構上的間隙為在所述半導體襯底上形成位線結構時產生的所述位線之間的間隙。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護層的材料為Si₃N₄，在所述半導體襯底上形成保護層，包括：

采用低壓化學氣相沉積法在所述半導體襯底上沉積Si₃N₄，以形成所述保護層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述保護層上沉積BPSG膜，包括：

根據預設的循環次數，在所述保護層上依次循環執行沉積SiO₂膜、沉積BSG膜以及PSG膜的步驟，以形成所述BPSG膜。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述BPSG膜的厚度為0.5～500埃。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在沉積所述BPSG膜時，工藝腔室的溫度為50～300℃，壓強為0.1～10Torr。

8.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述保護層上沉積BPSG膜，包括：

采用等離子體增強型原子層沉積在所述保護層上沉積所述BPSG膜。

9.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構包括：

包含有功能單元的半導體襯底，所述功能單元之間存在間隙；

保護層，位于所述半導體襯底上方；

用于填充所述間隙的BPSG膜，位于所述保護層上。

10.根據權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：

氧化物層，位于所述BPSG膜上方。

11.根據權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構為存儲器時，所述功能單元為位線，所述功能單元之間的間隙為所述位線之間的間隙。