[發明專利]一種陣列基板及其制造方法

在審

• 申請號: 202011412415.1
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN112530979A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 孫語琳;王海宏;卞存健;費米
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：在玻璃基板上沉積第一金屬層，對第一金屬層進行刻蝕形成圖案化的柵金屬層；

S2：沉積覆蓋柵金屬層的柵極絕緣層；

S3：在柵極絕緣層上形成半導體層；

S4：沉積第二金屬層，對第二金屬層進行刻蝕形成分別與半導體層接觸的源極和漏極、以及位于半導體層上方的源漏墊層；

S5：沉積覆蓋第二金屬層的第一絕緣層；

S6：首先沉積覆蓋第一絕緣層的有機絕緣層；然后對有機絕緣層和第一絕緣層進行刻蝕并形成位于源漏墊層上的第一接觸孔；

S7：首先沉積透明導電材料層，然后對透明導電材料層進行刻蝕形成位于第一接觸孔內的公共電極，公共電極通過第一接觸孔與源漏墊層連接；

S8：首先沉積第二絕緣層，然后對位于第一接觸孔的第二絕緣層進行刻蝕并形成位于公共電極上的第二接觸孔，同時對第二絕緣層、有機絕緣層、第一絕緣層和柵極絕緣層進行刻蝕并形成位于柵金屬層上的第三接觸孔，第二接觸孔和第一接觸孔相互連通；

S9：首先沉積透明導電材料層，然后對透明導電材料層進行刻蝕形成像素電極，像素電極通過第二接觸孔與公共電極接觸，像素電極通過第三接觸孔與柵金屬層接觸。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S4中，源漏墊層的長度為d1；步驟S6中，第一接觸孔刻蝕掉有機絕緣層處的寬度為d2；步驟S8中，第二接觸孔刻蝕掉公共電極處的寬度為d3；其中，d1＞d2＞d3。

3.一種陣列基板，其特征在于，由權利要求1所述的步驟S1至S9制成。

4.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：在玻璃基板上沉積第一金屬層，對第一金屬層進行刻蝕形成圖案化的柵金屬層；

S2：沉積覆蓋柵金屬層的柵極絕緣層；

S3：在柵極絕緣層上形成半導體層；

S4：沉積第二金屬層，對第二金屬層進行刻蝕形成分別與半導體層接觸的源極和漏極、以及位于半導體層上方的源漏墊層；

S5：沉積覆蓋第二金屬層的第一絕緣層；

S6：首先沉積覆蓋第一絕緣層的有機絕緣層；然后對有機絕緣層和第一絕緣層進行刻蝕并形成位于源漏墊層上的第一接觸孔；

S7：首先沉積透明導電材料層，然后對透明導電材料層進行刻蝕形成位于第一接觸孔內的公共電極，公共電極通過第一接觸孔與源漏墊層連接；

S8：首先沉積第二絕緣層，然后對位于第一接觸孔的第二絕緣層和公共電極進行刻蝕并形成位于源漏墊層上的第二接觸孔，同時對第二絕緣層、有機絕緣層、第一絕緣層和柵極絕緣層進行刻蝕并形成位于柵金屬層上的第三接觸孔，第二接觸孔和第一接觸孔相互連通；

S9：首先沉積透明導電材料層，然后對透明導電材料層進行刻蝕形成像素電極，像素電極通過第二接觸孔與公共電極接觸，像素電極通過第三接觸孔與柵金屬層接觸。

5.根據權利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S4中，源漏墊層的長度為d1；步驟S6中，第一接觸孔刻蝕掉有機絕緣層處的寬度為d2；步驟S8中，第二接觸孔刻蝕掉公共電極處的寬度為d3；其中，d1＞d2＞d3。

6.一種陣列基板，其特征在于，由權利要求4所述的步驟S1至S9制成。