[發明專利]一種半導體激光器集成芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 202011411644.1
• 申請日: 2020-12-03
• 公開（公告）號: CN113410759A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 劉朝明;高磊;張宇暉
• 申請（專利權）人: 因林光電科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22;H01S5/12;H01S5/042;H01S5/0687
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種半導體激光器集成芯片，其特征在于，包括激光出射單元和激光探測單元；

所述半導體激光器集成芯片還包括：

公共外延結構；

位于所述公共外延結構一側的第一介質結構和分立外延結構；所述分立外延結構包括相互獨立的第一分立外延結構和第二分立外延結構；沿第一方向，所述第一分立外延結構和所述第二分立外延結構分別位于所述第一介質結構的兩側；沿第二方向，所述第一分立外延結構和所述第二分立外延結構位于所述公共外延結構的同一側；所述第一方向與所述第二方向相交；

位于所述分立外延結構中的脊形結構；

位于所述公共外延結構遠離所述分立外延結構一側的公共電極；位于所述脊形結構遠離所述公共外延結構一側的分立電極，所述分立電極包括相互獨立的第一分立電極和第二分立電極，所述第一分立電極位于所述第一分立外延結構遠離所述公共外延結構的一側，所述第二分立電極位于所述第二分立外延結構遠離所述公共外延結構的一側；

所述激光出射單元包括所述公共外延結構、所述第一分立外延結構、所述第一分立電極和所述公共電極，所述激光探測單元包括所述公共外延結構、所述第二分立外延結構、所述第二分立電極和所述公共電極；

沿所述第一方向，所述激光出射單元具備第一腔長，所述激光探測單元具備第二腔長，所述第一介質結構具備第三腔長，所述半導體激光器集成芯片的腔長為所述第一腔長、所述第三腔長與所述第二腔長之和。

2.根據權利要求1所述的半導體激光器集成芯片，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一介質結構包括至少兩個疊層設置的子介質結構；

存在相鄰兩個所述子介質結構的折射率不同。

3.根據權利要求1所述的半導體激光器集成芯片，其特征在于，所述第一腔長范圍為50-500μm；所述第二腔長可調。

4.根據權利要求1所述的半導體激光器集成芯片，其特征在于，沿所述第二方向，所述公共外延結構包括疊層設置的襯底、緩沖層、下光場限制層和光柵層；

沿所述第二方向，所述分立外延結構包括疊層設置的下波導層、有源區、上波導層、上光場限制層和上接觸層。

5.根據權利要求4所述的半導體激光器集成芯片，其特征在于，所述上接觸層和部分所述上光場限制層形成所述脊形結構；

所述半導體激光器集成芯片還包括第二介質層，所述第二介質層覆蓋所述脊形結構的側面以及脊形兩側的平臺區域。