[發明專利]一種陣列基板、顯示面板及其制備方法

有效

• 申請號: 202011411272.2
• 申請日: 2020-12-03
• 公開（公告）號: CN112490254B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 陽宏
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 裴磊磊

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

第一有源層，形成在所述襯底的一側，圖案化形成第一接觸端、第二接觸端以及設于所述第一接觸端和所述第二接觸端之間的第一溝道；

第一柵極絕緣層，形成在所述第一有源層遠離所述襯底的一側；

柵極層，形成在所述第一柵極絕緣層遠離所述第一有源層的一側；

第二柵極絕緣層，形成在所述柵極層遠離所述第一柵極絕緣層的一側；

源漏極金屬層，形成在所述第二柵極絕緣層遠離所述柵極層的一側，圖案化形成第一電極、第二電極以及第一金屬走線；

第二有源層，所述第二有源層圖案化形成第三接觸端、第四接觸端以及設于所述第三接觸端與所述第四接觸端之間的第二溝道；

所述第二有源層位于所述第二柵極絕緣層和所述源漏極金屬層之間，所述陣列基板還包括第一過孔和第二過孔，所述第一過孔、所述第二過孔均貫穿所述第二有源層以及所述第二柵極絕緣層，其中，所述第一電極通過所述第一過孔與所述第一接觸端以及所述第三接觸端搭接，所述第二電極通過所述第二過孔與所述第二接觸端以及所述第四接觸端搭接。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一有源層的所述第一接觸端和所述第二接觸端為導體化的第一導體區和第二導體區，所述第一溝道為第一金屬氧化物半導體區，所述第一導體區和所述第二導體區通過所述第一金屬氧化物半導體區連接。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二有源層的所述第三接觸端和所述第四接觸端為導體化的第三導體區和第四導體區，所述第二溝道為第二金屬氧化物半導體區，所述第三導體區和所述第四導體區通過所述第二金屬氧化物半導體區連接。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括蝕刻阻擋層，所述蝕刻阻擋層設置在所述第二有源層遠離所述第二柵極絕緣層的一側。

5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括遮光金屬層，所述遮光金屬層與所述第一金屬走線電連接。

6.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1至5任一項所述的陣列基板。

7.一種顯示面板的制備方法，用于制備如權利要求6所述的顯示面板，其特征在于，包括步驟：

提供襯底，在所述襯底上依次形成緩沖層、第一有源層；

對所述第一有源層圖案化處理，形成第一接觸端、第二接觸端以及設置在所述第一接觸端和所述第二接觸端之間的第一溝道；

在所述第一有源層上沉積第一柵極絕緣層、柵極層、第二柵極絕緣層；

在所述第二柵極絕緣層上沉積金屬氧化物半導體層；

對所述金屬氧化物半導體層進行導體化處理，得到第二有源層；以及

對所述第二有源層圖案化處理，形成第三接觸端、第四接觸端以及設于所述第三接觸端與所述第四接觸端之間的第二溝道；

在所述第二有源層以及所述第二柵極絕緣層上進行刻蝕形成第一過孔和第二過孔；

在所述第二有源層上沉積源漏極金屬層；

對所述源漏極金屬層圖案化處理，形成第一電極、第二電極以及第一金屬走線，所述第一電極通過所述第一過孔與所述第一接觸端以及所述第三接觸端搭接，所述第二電極通過所述第二過孔與所述第二接觸端以及所述第四接觸端搭接。