[發(fā)明專(zhuān)利]顯示設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011409968.1
• 申請(qǐng)日: 2020-12-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112951885A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金彰穆;李寬熙;鄭智元;崔永瑞
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 張逍遙;劉燦強(qiáng)

1.一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括：

基底；

像素層，位于所述基底上，包括多個(gè)顯示器件；

封裝構(gòu)件，封裝所述像素層；

光調(diào)制層，位于所述封裝構(gòu)件上；

功能層，位于所述光調(diào)制層上；以及

結(jié)合層，定位在所述光調(diào)制層與所述功能層之間以結(jié)合所述光調(diào)制層和所述功能層，

其中，所述光調(diào)制層具有與所述多個(gè)顯示器件對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，并且

其中，所述結(jié)合層填充所述開(kāi)口且具有比所述光調(diào)制層的折射率大的折射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述結(jié)合層包括結(jié)合膜和分布在所述結(jié)合膜中的多個(gè)高折射率顆粒，并且

其中，所述結(jié)合層的所述折射率等于或大于1.6。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，其中，所述結(jié)合層包括30wt％至60wt％的所述多個(gè)高折射率顆粒，并且

其中，所述結(jié)合層的所述折射率是1.6至1.8。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，其中，所述結(jié)合層還包括分布在所述結(jié)合膜中的散射顆粒，并且

其中，所述散射顆粒的平均顆粒直徑比所述多個(gè)高折射率顆粒的平均顆粒直徑大。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述開(kāi)口中的每個(gè)的內(nèi)壁包括傾斜的表面，并且

其中，所述光調(diào)制層的厚度是1.5μm至2.5μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備，其中，所述內(nèi)壁的下端具有凹進(jìn)的形狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備還包括位于所述封裝構(gòu)件與所述光調(diào)制層之間且包含感測(cè)電極的輸入感測(cè)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，其中，所述感測(cè)電極包括形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格線，并且

其中，所述網(wǎng)格線與所述光調(diào)制層疊置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述多個(gè)顯示器件中的每個(gè)包括像素電極、位于所述像素電極上的包含發(fā)射層的中間層以及位于所述中間層上的對(duì)電極，并且

其中，從所述發(fā)射層發(fā)射的光的一部分被所述結(jié)合層與所述開(kāi)口之中的對(duì)應(yīng)的開(kāi)口的內(nèi)壁之間的界面全內(nèi)反射。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述功能層包括偏振層。

11.一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括：

顯示器件，用于發(fā)射光；

光調(diào)制層，位于所述顯示器件上且具有與所述顯示器件對(duì)應(yīng)的開(kāi)口；

結(jié)合層，填充所述開(kāi)口且定位在所述光調(diào)制層上；以及

功能層，定位在所述結(jié)合層上且經(jīng)由所述結(jié)合層結(jié)合到所述光調(diào)制層，

其中，所述光調(diào)制層具有第一折射率，并且所述結(jié)合層具有比所述第一折射率大的第二折射率，并且

其中，從所述顯示器件發(fā)射的光的一部分被所述開(kāi)口的內(nèi)壁與所述結(jié)合層之間的界面全內(nèi)反射。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備，其中，所述顯示器件包括像素電極、位于所述像素電極上的包含發(fā)射層的中間層以及位于所述中間層上的對(duì)電極，并且

其中，所述光調(diào)制層位于覆蓋所述像素電極的邊緣的絕緣層上。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備還包括位于所述顯示器件與所述光調(diào)制層之間的封裝構(gòu)件。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備還包括位于所述封裝構(gòu)件與所述光調(diào)制層之間且包含感測(cè)電極的輸入感測(cè)層。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備，其中，所述結(jié)合層包括結(jié)合膜和分布在所述結(jié)合膜中的多個(gè)高折射率顆粒。