[發明專利]一種中空型超高頻諧振器在審
| 申請號: | 202011409732.8 | 申請日: | 2020-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN112564666A | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發明(設計)人: | 孫成亮;谷曦宇;國世上;劉婕妤;謝英;曲遠航;鄒楊;徐沁文 | 申請(專利權)人: | 武漢大學 |
| 主分類號: | H03H9/02 | 分類號: | H03H9/02 |
| 代理公司: | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 彭艷君 |
| 地址: | 430072 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 中空 超高頻 諧振器 | ||
1.一種中空型超高頻諧振器,包括襯底、壓電層和電極,壓電層置于襯底之上;其特征是,壓電層的上表面部分或全部刻蝕形成環形壓電層,第一、第二電極沉積在壓電層上。
2.如權利要求1所述的中空型超高頻諧振器,其特征是,壓電層上表面的刻蝕深度占壓電層厚度的1%-100%。
3.如權利要求1或2所述的中空型超高頻諧振器,其特征是,壓電層刻蝕形成的截面形狀為:圓形、規則多邊形或不規則多邊形。
4.如權利要求3所述的中空型超高頻諧振器,其特征是,壓電層采用的材料包括鈮酸鋰、鉭酸鋰和氮化鋁。
5.如權利要求1所述的中空型超高頻諧振器,其特征是,第一、第二電極為嵌入型電極,其截面形狀為:圓形、規則多邊形或不規則多邊形;嵌入型電極的材料為鉑、鉬、銅、鋁或金。
6.如權利要求1所述的中空型超高頻諧振器,其特征是,第一、第二電極之間的間距至少大于二倍聲波波長;第一、第二電極排列方式為規則圖形或不規則圖形。
7.如權利要求1所述的中空型超高頻諧振器,其特征是,襯底為硅、藍寶石襯底、SOI襯底。
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