[發明專利]陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示面板

在審

• 申請號: 202011409523.3
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN112542471A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 孫小茜;龔吉祥;張毅先
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 裴磊磊

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

提供一襯底并在所述襯底上形成相互間隔的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，以及覆蓋所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的層間絕緣層；

在所述層間絕緣層背離所述襯底的一側上涂布光刻膠層，利用半色調光罩對所述光刻膠層曝光顯影以形成一阻擋層；以及，

對所述光刻膠層及所述層間絕緣層進行多次干法刻蝕，以形成部分暴露所述第一薄膜晶體管的輔助電極的第一孔、部分暴露所述第一薄膜晶體管的有源層的第二孔、部分暴露所述第二薄膜晶體管的有源層的第三孔，以及部分暴露所述襯底的第四孔。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述阻擋層包括：與所述第一孔對應的第一區、與所述第二孔對應的第二區、與所述第三孔對應的第三區、與所述第四孔對應的第四區，以及連接所述第一區、第二區、第三區和第四區的第五區；

所述阻擋層在所述第一區的厚度為T1，所述阻擋層在所述第二區的厚度為T2，所述阻擋層在所述第三區的厚度為T3，所述阻擋層在所述第四區的厚度為T4，所述阻擋層在所述第五區的厚度為T5，并且，T1、T2、T3、T4和T5滿足公式：T5T3T1T2T4。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述半色調光罩包括：與所述第一孔對應的第一透光區、與所述第二孔對應的第二透光區、與所述第三孔對應的第三透光區、與所述第四孔對應的第四透光區，以及連接所述第一透光區、第二透光區、第三透光區和第四透光區的第五透光區；其中，

所述半色調光罩在所述第一透光區的光透射率為TR1，在所述第二透光區的光透射率為TR2，在所述第三透光區的光透射率為TR3，在所述第四透光區的光透射率為TR4，在所述第五透光區的光透射率為TR5，并且，TR1、TR2、TR3、TR4和TR5滿足公式：TR5TR3TR1TR2TR4。

4.根據權利要求3所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述半色調光罩在所述第一透光區的光透射率TR1為50％，在所述第二透光區的光透射率TR2為75％，在所述第三透光區的光透射率TR3為25％，在所述第四透光區的光透射率TR4為100％，在所述第五透光區的光透射率TR5為0。

5.根據權利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述阻擋層在所述第一區的厚度T1為所述光刻膠層的二分之一厚度，所述阻擋層在所述第二區的厚度T2為所述光刻膠層的四分之一厚度，所述阻擋層在所述第三區的厚度T3為所述光刻膠層的四分之三厚度，所述阻擋層在所述第四區的厚度T4為0，所述阻擋層在所述第五區的厚度T5為所述光刻膠層的厚度。

6.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：設置于一襯底上且相互間隔的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，以及覆蓋所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的層間絕緣層；其中，所述陣列基板還包括：

部分暴露所述第一薄膜晶體管的輔助電極的第一孔、部分暴露所述第一薄膜晶體管的有源層的第二孔、部分暴露所述第二薄膜晶體管的有源層的第三孔，以及部分暴露所述襯底的第四孔。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，至少一層所述層間絕緣層設置于所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管之間；在從所述層間絕緣層延伸至所述襯底的方向上，所述第一孔、第二孔、第三孔及第四孔均包括多個連續的倒底切結構。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，每一所述倒底切結構的角度范圍為30°～70°、30°～80°及40°～90°中的任一種。

9.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的有源層的材料為低溫多晶硅半導體；所述第二薄膜晶體管的有源層的材料為銦鎵鋅氧化物半導體；所述第一薄膜晶體管的輔助電極的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的組合；所述層間絕緣層的材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一種。

10.一種顯示面板，包括如權利要求6至9中任一項所述的陣列基板。