[發明專利]電阻式存儲器裝置

在審

• 申請號: 202011409200.4
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN112927742A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 平野誠
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

一種電阻式存儲器裝置，包括：第一位線組，包括第一邊緣位線；第二位線組，包括第二邊緣位線；以及第一邊界晶體管，被配置為根據對第一邊緣位線的選擇將非選擇電壓施加到第二邊緣位線。第一位線組的第一邊緣位線被設置為最靠近第二位線組，并且第二位線組的第二邊緣位線被設置為最靠近第一位線組。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年12月6日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0161668的優先權，其全部公開內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明構思涉及存儲器裝置，更具體地，涉及電阻式存儲器裝置。

背景技術

電阻式存儲器裝置的示例包括相變隨機存取存儲器(RAM)(PRAM)、納米浮柵存儲器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁性RAM(MRAM)、鐵電RAM(FeRAM)和電阻式RAM(RRAM)。電阻式存儲器裝置有利地表現出動態RAM(DRAM)的高速性和閃速存儲器的非易失性。

電阻式存儲器裝置的存儲器單元的電阻分布對應于其中編程的數據。為了讀取存儲器單元，可以將給定的電流或電壓施加到存儲器單元，并且可以讀取取決于存儲器單元的電阻大小的電壓，由此感測數據。然而，讀操作的感測裕度可能受到與電阻式存儲器裝置的存儲器單元連接的字線和位線的寄生電容分量的負面影響。此外，寄生電容分量可能導致讀/寫干擾，例如，與被讀取的存儲器單元相鄰的存儲器單元的編程狀態被改變。

發明內容

根據本發明構思的一方面，提供了一種電阻式存儲器裝置，包括：第一位線組，包括第一邊緣位線；第二位線組，包括第二邊緣位線；以及第一邊界晶體管，被配置為當第一邊緣位線被選擇時將非選擇電壓施加到第二邊緣位線。第一邊緣位線被設置為在第一位線組中最靠近第二位線組，并且第二邊緣位線被設置為在第二位線組中最靠近第一位線組。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種電阻式存儲器裝置，包括：第一位線組，包括第一邊緣位線；第二位線組，包括第二邊緣位線；第一邊緣晶體管，被配置為根據第一選擇信號將選擇電壓施加到第一邊緣位線；第二邊緣晶體管，被配置為根據第二選擇信號將選擇電壓施加到第二邊緣位線；第三邊緣晶體管，被配置為根據第一選擇信號將非選擇電壓施加到第一邊緣位線；以及第四邊緣晶體管，被配置為根據第二選擇信號將非選擇電壓施加到第二邊緣位線。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種電阻式存儲器裝置，包括：第一字線組，包括第一邊緣字線；第二字線組，包括第二邊緣字線；第一邊界晶體管，被配置為當第一邊緣字線被選擇時將非選擇電壓施加到第二邊緣字線；以及第二邊界晶體管，被配置為當第二邊緣字線被選擇時將非選擇電壓施加到第一邊緣字線。第一邊緣字線被設置為在第一字線組中最靠近第二字線組，并且第二邊緣字線被設置為在第二字線組中最靠近第一字線組。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種包括由解碼器結構限定的第一位線組的電阻式存儲器裝置的操作方法。該方法包括：將非選擇電壓施加到設置在第一位線組中的最外側位置處的第一邊緣位線；以及使包括在第一位線組中的第一中間位線浮置。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種電阻式存儲器裝置，包括：第一位線組，包括多條位線；第一邊緣位線，設置在第一位線組中的最外側位置處；以及第一中間位線，包括在第一位線組中，第一中間位線與第一邊緣位線相鄰。連接到第一邊緣位線的晶體管的數量不同于連接到第一中間位線的晶體管的數量。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種電阻式存儲器裝置，包括：第一位線組，包括多條位線；第一邊緣位線，設置在第一位線組中的最外側位置處；以及第一中間位線，包括在第一位線組中，第一中間位線與第一邊緣位線相鄰。通過晶體管連接到第一邊緣位線的多個節點中的至少一些節點不同于通過晶體管連接到第一中間位線的多個節點中的至少一些節點。

附圖說明

從下面結合附圖的詳細描述中，本發明構思的實施例將被更清楚地理解，附圖中：