[發(fā)明專利]垂直腔面發(fā)射激光器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011408034.6 | 申請日： | 2018-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN112510485A | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 崔元珍 | 申請（專利權(quán)）人： | 雷伊株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 呂琳;田英愛 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 垂直 發(fā)射 激光器 | ||
1.一種垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，包括：
基板；
第一反射層，布置在所述基板上；
活動層，布置在所述第一反射層上；
氧化層，布置在所述活動層上，且包含位于其中心的第一孔；
第二反射層，布置在所述氧化層和所述第一孔上；
帽層，布置在所述氧化層與所述第二反射層之間；及
第一電極，布置在所述第二反射層上，
其中，所述帽層包括延伸部，所述延伸部向所述第一孔的內(nèi)側(cè)突出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，還包括歐姆層，所述歐姆層布置在第一電極與第二反射層之間，
所述第一反射層的反射率高于所述第二反射層的反射率，
所述氧化層和所述帽層含有鋁，所述氧化層的鋁組分高于所述帽層的鋁組分，
所述歐姆層包括布置在其中心的第二孔，
所述第一孔的直徑大于所述第二孔的直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，
所述第二反射層包含多個(gè)第一子層和多個(gè)第二子層，
多個(gè)所述第一子層和多個(gè)所述第二子層交替布置，
所述第一子層的折射率高于所述第二子層的折射率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，
所述第二反射層包括臺階部，所述臺階部布置在所述第一孔上，
所述第二反射層越靠近所述第一電極，所述臺階部的寬度越窄。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，
所述第二反射層包括形成在最外層的第一凹槽，
所述第一凹槽的直徑小于所述第一孔的直徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，
所述延伸部的厚度小于所述帽層的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，還包括第二電極，所述第二電極布置在所述基板的下部。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述歐姆層的能帶隙等于或低于所述基板的能帶隙，
所述歐姆層的能帶隙等于或低于從所述活動層發(fā)射的光的能量。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，
所述第二孔的直徑是所述第一孔的直徑的6％～98％。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，
所述歐姆層包括AlInGaAs、InGaAs、GaAs、AlInGaAsSb、AlInGaAsPSb、InGaAsP、InGaAsPSb、GaAsSb、InGaAsSb、InAsSb、AlGaAsSb、AlGaAsP及AlGaInAsP中的任一種。
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