[發(fā)明專利]一種對比度改善的硅基OLED微顯示器及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011405645.5
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN112420963B
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳世忠;劉永山;李力
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市芯視佳半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 安徽濰達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34166
• 代理人: 張?zhí)m

1.一種對比度改善的硅基OLED微顯示器，其特征在于所述微顯示器包括：

像素顯示區(qū)(100)；

第一間隔區(qū)(200)，所述第一間隔區(qū)設(shè)置于像素顯示區(qū)(100)的外側(cè)；

共電極區(qū)(300)，所述共電極區(qū)(300)設(shè)置于第一間隔區(qū)(200)的外側(cè)；

第二間隔區(qū)(400)，所述第二間隔區(qū)(400)設(shè)置于共電極區(qū)(300)的外側(cè)；

貼合區(qū)(500)，所述貼合區(qū)(500)設(shè)置于第二間隔區(qū)(400)的外側(cè)，所述貼合區(qū)(500)上制備有若干個微米結(jié)構(gòu)(600)形成的陣列，所述微米結(jié)構(gòu)(600)為半球形狀，所述微米結(jié)構(gòu)(600)的高度為1-20um，所述微米結(jié)構(gòu)(600)之間的中心間隔為3-60um；

所述像素顯示區(qū)(100)、第一間隔區(qū)(200)、共電極區(qū)(300)、第二間隔區(qū)(400)和貼合區(qū)(500)均制備在單晶硅襯底(700)之上；

所述像素顯示區(qū)(100)上還制備有OLED層和薄膜封裝層功能層，其中OLED層的頂電極搭接至共電極區(qū)(300)之上；

所述貼合區(qū)(500)上形成有黑膠層(800)，所述黑膠層(800)將單晶硅襯底(700)與玻璃蓋板(900)相連接；

所述玻璃蓋板(900)為雙面AR玻璃；

所述玻璃蓋板(900)與像素顯示區(qū)(100)的間隔為微米結(jié)構(gòu)(600)的高度所限定，且玻璃蓋板(900)與像素顯示區(qū)(100)的間隔處填充有干燥空氣、氮?dú)饣蛘叨栊詺怏w；

所述像素顯示區(qū)(100)對角線尺寸為0.1-2英寸，所述像素顯示區(qū)(100)的像素尺寸為2-20um，所述像素的形狀為矩形、正六邊形、Π形或者圓形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED微顯示器，其特征在于：所述第一間隔區(qū)(200)的寬度為50-300um，所述第二間隔區(qū)(400)的寬度為50-1000um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED微顯示器，其特征在于：所述共電極區(qū)(300)的寬度為50-500um，所述共電極區(qū)(300)設(shè)置于像素顯示區(qū)(100)上、下、左、右四個方位中的任意1至4個方位。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED微顯示器，其特征在于：所述貼合區(qū)(500)的寬度為0.5-2mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED微顯示器，其特征在于：所述微米結(jié)構(gòu)(600)為剛性結(jié)構(gòu)，包括金屬以及硅的氮化物、氧化物或者氮氧化物中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED微顯示器，其特征在于：所述單晶硅襯底(700)集成有CMOS驅(qū)動電路以及綁定區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED微顯示器，其特征在于：所述黑膠層(800)采用熱固型黑色樹脂膠或者黑色UV膠。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED微顯示器，其特征在于：所述玻璃蓋板(900)的厚度為0.3-1mm，所述玻璃蓋板的光學(xué)透過率大于90％。

9.一種如權(quán)利要求1所述的硅基OLED微顯示器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1、提供單晶硅襯底(700)，單晶硅襯底(700)上已制備好像素顯示區(qū)(100)、第一間隔區(qū)(200)、共電極區(qū)(300)、第二間隔區(qū)(400)和貼合區(qū)(500)；

S2、貼合區(qū)(500)制備微米結(jié)構(gòu)(600)陣列；

S3、在像素顯示區(qū)(100)形成像素電極并圖案化；

S4、將單晶硅襯底(700)送入蒸鍍機(jī)進(jìn)行OLED制備，真空條件下依次進(jìn)行有機(jī)功能層、共電極層和光耦合輸出層的蒸鍍；

S5、對OLED進(jìn)行薄膜封裝；

S6、在OLED之上進(jìn)行彩膜的制備；

S7、將單晶硅襯底(700)送入貼合設(shè)備，貼合設(shè)備內(nèi)為干燥空氣、氮?dú)饣蛘叨栊詺怏w環(huán)境，在貼合區(qū)(500)上涂布黑膠層(800)，覆蓋雙面AR玻璃蓋板(900)，加壓貼合并進(jìn)行黑膠層(800)的固化；

S8、產(chǎn)品切割；

S9、綁定后完成產(chǎn)品制作。