[發(fā)明專利]存儲器陣列及用于形成包括存儲器胞元串的存儲器陣列的方法

在審

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• 申請日: 2020-12-02
• 公開（公告）號: CN113053908A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設計）人: A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種用于形成包括存儲器胞元的串的存儲器陣列的方法，其包括：

形成包括垂直交替的第一層面及第二層面的堆疊，所述堆疊包括在其之間具有水平伸長的溝槽的橫向間隔的存儲器塊區(qū)，犧牲材料在所述溝槽中；

在所述犧牲材料中形成垂直凹部，所述垂直凹部跨所述溝槽橫向延伸于所述存儲器塊區(qū)的橫向緊鄰者之間且沿著所述橫向緊鄰者縱向間隔；

在所述垂直凹部中形成橋接材料以加襯里于且不足量填充所述垂直凹部且從所述垂凹部形成具有向上敞開的杯型形狀的橋接件；及

用在所述橋接件正下方的中介材料替換所述溝槽中的所述犧牲材料。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其包括將溝道開口形成到所述堆疊中橫向介于所述溝槽之間，在所述溝道開口中形成所述犧牲材料。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中所述替換包括從所述溝槽移除所述犧牲材料，且進一步包括在從所述溝槽移除所述犧牲材料之前從所述溝道開口移除所述犧牲材料。

4.根據(jù)權利要求2所述的方法，其包括同時形成所述溝槽及所述溝道開口。

5.根據(jù)權利要求2所述的方法，其包括使用一個且僅一個遮掩步驟來共同形成所述溝槽及所述溝道開口。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其包括在所述橋接件正上方形成所述中介材料。

7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其包括在所述橋接件的所述向上敞開的杯型形狀中形成所述中介材料。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述橋接材料是絕緣的。

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述橋接材料是半導電或導電的至少一者。

10.一種用于形成包括存儲器胞元的串的存儲器陣列的方法，其包括：

形成包括垂直交替的下部第一層面及下部第二層面的下部堆疊，絕緣體層面在所述下部堆疊正上方，所述絕緣體層面及所述下部堆疊包括橫向間隔的下部存儲器塊區(qū)，在所述下部存儲器塊區(qū)之間具有水平伸長的下部溝槽，犧牲材料在所述絕緣體層面中及所述下部堆疊中的所述下部溝槽中；

在所述犧牲材料中形成垂直凹部，所述垂直凹部跨所述下部溝槽橫向延伸于所述下部存儲器塊區(qū)的橫向緊鄰者之間且沿著所述橫向緊鄰者縱向間隔；

在所述垂直凹部中形成橋接材料以加襯里于且不足量填充所述垂直凹部且從所述垂直凹部形成具有向上敞開的杯型形狀的橋接件；

在所述橋接件的所述向上敞開的杯型形狀中形成蝕刻停止材料；

在所述橋接件及所述蝕刻停止材料的正上方形成包括垂直交替的上部第一層面及上部第二層面的上部堆疊；

將水平伸長的上部溝槽蝕刻到所述下部溝槽正上方的所述上部堆疊中到達所述橋接件的所述向上敞開的杯型形狀中的所述蝕刻停止材料，以形成在所述下部存儲器塊區(qū)正上方的橫向間隔的上部存儲器塊區(qū)；及

用在所述橋接件正下方的所述下部堆疊中的中介材料替換所述下部溝槽中的所述犧牲材料，且在所述橋接件正上方的所述上部堆疊中形成所述中介材料。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其包括在形成所述上部溝槽之后蝕刻掉所有剩余的所述蝕刻停止材料。

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述替換包括在所述蝕刻掉所有剩余的所述蝕刻停止材料的同時從所述下部溝槽蝕刻所述犧牲材料。

13.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述蝕刻停止材料及所述犧牲材料具有彼此相同的組合物。

14.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述蝕刻停止材料及所述犧牲材料具有彼此不同的組合物。