[發(fā)明專利]單片多焦點(diǎn)光源器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011402795.0 | 申請日: | 2020-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN112928190A | 公開(公告)日: | 2021-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | V·奧加內(nèi)相 | 申請(專利權(quán))人: | 奧普蒂茲公司 |
| 主分類號: | H01L33/58 | 分類號: | H01L33/58;H01L33/62 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張凌苗;陳嵐 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單片 焦點(diǎn) 光源 器件 | ||
單片多焦點(diǎn)光源器件。一種光源器件,其包括光器件組件和單片透鏡。光器件組件包括第一襯底,其具有相對的頂表面和底表面以及形成到頂表面中的多個(gè)腔,多個(gè)光源芯片,每個(gè)光源芯片至少部分地設(shè)置在多個(gè)腔中的一個(gè)腔中并且每個(gè)光源芯片包括發(fā)光器件和電接觸,以及多個(gè)電極,每個(gè)電極在頂表面和底表面之間延伸并且每個(gè)電極電連接到電接觸中的一個(gè)。單片透鏡設(shè)置在第一襯底的頂表面之上,并且包括具有多個(gè)透鏡段的單一襯底,每個(gè)透鏡段設(shè)置在光源芯片中的一個(gè)之上。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于在移動(dòng)設(shè)備上使用的發(fā)光器件。
背景技術(shù)
本發(fā)明涉及超小型光學(xué)器件和制造用于超小型光學(xué)器件的集成光學(xué)部件的方法。具體地,超小型光源器件被用在各種應(yīng)用中,所述應(yīng)用諸如是移動(dòng)電話。然而,由于集成用于這些器件的超小型部件所涉及的復(fù)雜性,設(shè)計(jì)和制造超小型光源器件是具有挑戰(zhàn)性的。現(xiàn)有技術(shù)技術(shù)方案涉及復(fù)雜的多透鏡技術(shù)方案,其是昂貴的、無期望的大小縮放水平,并且展現(xiàn)出妥協(xié)的性能。
本發(fā)明通過將常規(guī)結(jié)構(gòu)與新穎的部件和配置進(jìn)行組合來解決這些挑戰(zhàn),新穎的部件和配置一起展現(xiàn)出更好的性能,提供了更好的大小縮放,生產(chǎn)的成本更低,并且提供了比現(xiàn)有技術(shù)中當(dāng)前可用的技術(shù)方案更簡單的技術(shù)方案。
發(fā)明內(nèi)容
上述問題和需要通過包括光器件組件和單片透鏡的光源器件來解決。光器件組件包括第一襯底,其具有相對的頂表面和底表面以及形成到頂表面中的多個(gè)腔,多個(gè)光源芯片,每個(gè)光源芯片至少部分地設(shè)置在多個(gè)腔中的一個(gè)腔中并且每個(gè)光源芯片包括發(fā)光器件和電接觸,以及多個(gè)電極,每個(gè)電極在頂表面和底表面之間延伸并且每個(gè)電極電連接到電接觸中的一個(gè)。單片透鏡設(shè)置在第一襯底的頂表面之上,并且包括具有多個(gè)透鏡段的單一(unitary)襯底,每個(gè)透鏡段設(shè)置在光源芯片中的一個(gè)之上。
通過回顧說明書、權(quán)利要求書和附圖,本發(fā)明的其他目的和特征將變得清楚。
附圖說明
圖1A-1I是示出了在形成光器件組件中的步驟的側(cè)截面圖。
圖2是光器件組件的俯視圖。
圖3是光器件組件的仰視圖。
圖4A-4K是示出了在形成透鏡組件中的步驟的側(cè)截面圖。
圖5A和5B是透鏡組件的側(cè)截面圖和俯視圖。
圖6是具有不同透鏡段設(shè)計(jì)的透鏡組件的側(cè)截面圖。
圖7A-7F是示出了在形成衍射透鏡組件中的步驟的側(cè)截面圖。
圖8A-8B是示出了在形成光源期間中的步驟的側(cè)截面圖。
圖9是示出了具有不同厚度的光源芯片和/或它們的粘合劑層的側(cè)截面圖。
圖10是光源器件的第一替代實(shí)施例的側(cè)截面圖。
圖11是光源器件的第二替代實(shí)施例的側(cè)截面圖。
圖12A-12B是光源器件的第三替代實(shí)施例的側(cè)截面圖。
圖13A-13E是示出了在形成用于第三替代實(shí)施例的透鏡中的步驟的側(cè)截面圖。
圖14是光源器件的第四替代實(shí)施例的側(cè)截面圖。
具體實(shí)施方式
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于奧普蒂茲公司,未經(jīng)奧普蒂茲公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011402795.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





