[發明專利]一種太赫茲調制器及制備方法在審
| 申請號： | 202011402708.1 | 申請日： | 2020-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN112612147A | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發明（設計）人： | 毛淇;呂賜興;劉競博;朱云龍 | 申請（專利權）人： | 季華實驗室 |
| 主分類號： | G02F1/015 | 分類號： | G02F1/015;G02F1/01 |
| 代理公司： | 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陳志超;羅尹清 |
| 地址： | 528200 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 赫茲 調制器 制備 方法 | ||
1.一種太赫茲調制器，其特征在于，包括砷化鎵基片和石墨烯薄膜；
所述砷化鎵基片的一面刻蝕有類金字塔結構的突起；
所述石墨烯薄膜覆蓋在砷化鎵基片具有類金字塔結構的突起的一面上。
2.根據權利要求1所述的太赫茲調制器，其特征在于，砷化鎵基片的電阻率為1000Ω.cm~5000Ω.cm。
3.根據權利要求1所述的太赫茲調制器，其特征在于，所述石墨烯薄膜為單層的石墨烯薄膜。
4.根據權利要求1所述的太赫茲調制器，其特征在于，砷化鎵基片的厚度為200~400微米，類金字塔結構的突起高度為1~20微米，類金字塔結構的突起直徑為1-30微米。
5.一種如權利要求1-4任一所述的太赫茲調制器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
1）將砷化鎵基片分別在丙酮、無水乙醇、去離子水溶液中用超聲波清洗；
2）制備1號液，將砷化鎵基片放入混合均勻的1號液中超聲波處理，取出并用去離子水清洗干凈；其中，1號液為雙氧水和濃鹽酸的混合液；
3）制備2號液，將砷化鎵基片放入混合均勻的2號液中超聲波處理，取出并用去離子水清洗干凈；其中，2號液為濃硫酸、去離子水、雙氧水的混合液；
4）制備BOE 緩沖液，將砷化鎵基片放入混合均勻的BOE緩沖液中；
5）將砷化鎵基片分別先后在無水乙醇、去離子水溶液中用超聲波清洗；
6）配置堿性刻蝕液：配置氫氧化鉀、異丙醇和去離子水的混合溶液；
7）在90-100℃恒溫水浴條件下，將砷化鎵基片放入堿性刻蝕液中，刻蝕時間設置為20-25分鐘，刻蝕完后，用去離子水沖洗，并用氮氣吹干；
8）將刻蝕好的砷化鎵金字塔基片上面轉移一層制備好的石墨烯薄膜并晾干。
6.根權利要求5所述的太赫茲調制器的制備方法，其特征在于，步驟6），堿性刻蝕液中，每氫氧化鉀為3~8g配置20~50ml異丙醇和100~150ml 去離子水。
7.根權利要求5所述的太赫茲調制器的制備方法，其特征在于，步驟1），在每種溶液中超聲波清洗的時間為10-20分鐘；
步驟2）和步驟3）中，超聲波處理時間均為 5~15 分鐘；
步驟4）中，砷化鎵基片在BOE緩沖溶液中浸泡15-25秒。
8.根權利要求5所述的太赫茲調制器的制備方法，其特征在于，步驟1）、步驟2）、步驟3）中，超聲波的功率30~50W，頻率40~80KHz。
9.根權利要求5所述的太赫茲調制器的制備方法，其特征在于，步驟2）中，雙氧水、濃鹽酸的體積比為1：2-5；
步驟3）中，濃硫酸、去離子水、雙氧水體積比1-2:7-9:2-4；
步驟4）中，BOE緩沖液為HF和NH4F的混合液，HF和NH4F的體積比 為1:5。
10.根權利要求5所述的太赫茲調制器的制備方法，其特征在于，步驟7）中，刻蝕過程中對堿性刻蝕溶液進行攪拌。
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