[發(fā)明專利]一種具有高維持電壓低觸發(fā)電壓高ESD特性的SCR器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011401007.6 | 申請日： | 2020-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN112420692A | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曹小強(qiáng) | 申請（專利權(quán)）人： | 成都博思微科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都金英專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 維持 壓低 觸發(fā) 電壓 esd 特性 scr 器件 | ||
1.一種具有高維持電壓低觸發(fā)電壓高ESD特性的SCR器件，其特征在于，包括第一P+摻雜區(qū)、第一N+摻雜區(qū)、第二P+摻雜區(qū)、第二N+摻雜區(qū)、第一觸發(fā)結(jié)構(gòu)和電阻R，其中：所述第一P+摻雜區(qū)一端連接PAD端，一端連接第一N+摻雜區(qū)；所述第一N+摻雜區(qū)兩端分別連接第一、第二P+摻雜區(qū)；所述第二P+摻雜區(qū)兩端分別連接第一、第二N+摻雜區(qū)；所述第二N+摻雜區(qū)一端連接第二P+摻雜區(qū)，一端連接接地端；所述第一觸發(fā)結(jié)構(gòu)連接端通過觸發(fā)結(jié)構(gòu)與PAD端連接；所述電阻R一端連接第一觸發(fā)結(jié)構(gòu)，一端連接接地端。
2.如權(quán)利要求1所述一種具有高維持電壓低觸發(fā)電壓高ESD特性的SCR器件，其特征在于，所述第二P+摻雜區(qū)與第一觸發(fā)結(jié)構(gòu)連接端形成電路結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述一種具有高維持電壓低觸發(fā)電壓高ESD特性的SCR器件，其特征在于，所述四層PNPN結(jié)構(gòu)之間采用串聯(lián)連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
