[發明專利]非制冷紅外探測器及其像素級封裝結構

有效

• 申請號: 202011399237.3
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN112539846B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 黃立;葉帆;馬占鋒;曾國勝;汪超;王春水
• 申請（專利權）人: 武漢高芯科技有限公司
• 主分類號: G01J5/10
• 分類號: G01J5/10
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 胡建文

1.一種像素級封裝結構，包括設于紅外CMOS讀出電路上的微腔，其特征在于：所述微腔包括供封裝部件安置的第一層真空空間以及設于所述第一層真空空間上的第二層真空空間；所述第一層真空空間與所述第二層真空空間之間的腔壁上開設有第一排氣孔，所述第二層真空空間遠離所述第一層真空空間的一側開設有兩個第二排氣孔，所述第一排氣孔和兩個所述第二排氣孔連通，第一排氣孔和兩個第二排氣孔構成Y型結構。

2.如權利要求1所述的像素級封裝結構，其特征在于：所述第二層真空空間有兩個，兩個所述第二層真空空間均設于所述第一層真空空間上。

3.如權利要求2所述的像素級封裝結構，其特征在于：兩個所述第二層真空空間位于同一平面內內兩個所述第二層真空空間對稱布置。

4.如權利要求1所述的像素級封裝結構，其特征在于：所述第二層真空空間遠離所述第一層真空空間的腔壁外覆蓋有增透膜。

5.如權利要求4所述的像素級封裝結構，其特征在于：所述增透膜封堵兩個所述第二排氣孔。

6.如權利要求1所述的像素級封裝結構，其特征在于：還包括設于所述第一層真空空間內的吸氣劑。

7.如權利要求6所述的像素級封裝結構，其特征在于：還包括設于所述紅外CMOS讀出電路上的連接層，所述吸氣劑沉積在所述連接層的反射層上。

8.如權利要求1所述的像素級封裝結構，其特征在于：所述第一層真空空間內設有微測輻射熱計。

9.如權利要求1所述的像素級封裝結構，其特征在于：在所述第一排氣孔以及兩個所述第二排氣孔中，至少兩個所述第二排氣孔通過犧牲層工藝制得。

10.一種非制冷紅外探測器，包括紅外CMOS讀出電路，其特征在于：還包括如權利要求1-9任一所述的像素級封裝結構，所述微腔設于所述紅外CMOS讀出電路上。