[發明專利]一種銦鎵砷材料的制備方法在審
| 申請號： | 202011398926.2 | 申請日： | 2020-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN112530792A | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發明（設計）人： | 楊明來 | 申請（專利權）人： | 浙江長芯光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 宮建華 |
| 地址： | 310016 浙江省杭州市江干區*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 銦鎵砷 材料 制備 方法 | ||
1.一種銦鎵砷材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
清潔襯底表面；
在襯底表面生長第一緩沖層；
在第一緩沖層表面生長第二緩沖層；
在第二緩沖層上生長銦鎵砷吸收層。
2.如權利要求1所述的銦鎵砷材料的制備方法，其特征在于，所述襯底為(001)面的InP襯底或者為(001)面的GaAs襯底；所述第一緩沖層為與襯底同質的(001)面的InP材料層或者(001)面的GaAs材料層；所述第二緩沖層為銦鎵砷材料層；所述銦鎵砷吸收層的組分與所述第二緩沖層相同。
3.如權利要求2所述的銦鎵砷材料的制備方法，其特征在于，清潔襯底表面包括：在650℃～700℃溫度下對襯底進行表面脫氧處理4～6min。
4.如權利要求2所述的銦鎵砷材料的制備方法，其特征在于，生長第一緩沖層的溫度為400℃～450℃。
5.如權利要求4所述的銦鎵砷材料的制備方法，其特征在于，第一緩沖層的厚度為10～20nm。
6.如權利要求4所述的銦鎵砷材料的制備方法，其特征在于，生長第二緩沖層的溫度與生長第一緩沖層的溫度相同。
7.如權利要求6所述的銦鎵砷材料的制備方法，其特征在于，第二緩沖層的厚度為30～120nm。
8.如權利要求2所述的銦鎵砷材料的制備方法，其特征在于，生長銦鎵砷吸收層的溫度為600℃～650℃。
9.如權利要求8所述的銦鎵砷材料的制備方法，其特征在于，銦鎵砷吸收層的厚度為1～5μm。
10.如權利要求1至9中任一項所述的銦鎵砷材料的制備方法，其特征在于，所述第二緩沖層和所述銦鎵砷吸收層為InxGa1-xAs(0.53≤x＜1)。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
