[發明專利]一種低導通壓降平面柵IGBT的制備方法有效
| 申請號： | 202011397875.1 | 申請日： | 2020-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN112652536B | 公開（公告）日： | 2023-09-12 |
| 發明（設計）人： | 高東岳;張大華;葉楓葉;駱健 | 申請（專利權）人： | 南瑞聯研半導體有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人： | 張賞 |
| 地址： | 211100 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低導通壓降 平面 igbt 制備 方法 | ||
1.一種低導通壓降平面柵IGBT的制備方法，其特征在于，包括，
1)在N型漂移區正面進行光刻，注入N型雜質形成并列的第一N型增強部和第二N型增強部；所述第二N型增強部位于第一N型增強部外圍，第一N型增強部和第二N型增強部存在間隙；所述第二N型增強部的注入深度小于第一N型增強部；
2)對第一N型增強部和第二N型增強部進行N型雜質熱推，形成呈階梯形相連的N型增強層；
3)在N型漂移區正面進行柵氧生長和多晶淀積，制備柵極；
4)對N型增強層上方的柵極進行光刻，注入P型雜質，進行P型雜質推進，在N型增強層內形成P型體區，構成P型體區的底部和側面為N型增強層的N-P-N結構，且底部和側面的N型增強層不相連；
5)在P型體區正面形成N+區；
6)在柵極和N+區正面沉積介質，形成介質層；
7)在介質層正面進行接觸孔光刻和金屬濺射，形成發射極；
8)在N型漂移區的背面注入P型雜質并退火形成P型集電區；
9)在P型集電區背面進行金屬濺射形成集電極。
2.根據權利要求1所述的一種低導通壓降平面柵IGBT的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中的N型雜質通過注入模板注入；
所述注入模板包括第一注入部和第二注入部；
所述第一注入部用于注入N型雜質在N型漂移區形成第一N型增強部；
所述第二注入部為環形，用于在第一N型增強部外圍注入N型雜質形成第二N型增強部。
3.根據權利要求1所述的一種低導通壓降平面柵IGBT的制備方法，其特征在于，所述第一N型增強部為圓柱或條形。
4.根據權利要求3所述的一種低導通壓降平面柵IGBT的制備方法，其特征在于，所述第二N型增強部與第一N型增強部形狀相同。
5.根據權利要求1所述的一種低導通壓降平面柵IGBT的制備方法，其特征在于，所述P型體區與第一N型增強部形狀相同。
6.根據權利要求1所述的一種低導通壓降平面柵IGBT的制備方法，其特征在于，通過在P型體區正面注入N+雜質并推進，形成N+區。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
