[發明專利]顯示面板有效
| 申請號: | 202011397025.1 | 申請日: | 2020-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN112542496B | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發明(設計)人: | 魏現鶴;王宏宇;曹方義 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G06V40/13 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 王文 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
本發明公開了一種顯示面板。顯示面板包括:基底組件,包括襯底以及第一膠帶層;支撐膜,位于第一膠帶層背離襯底的一側,支撐膜包括第一開口,使得基底組件具有與第一開口對應的第一區域以及圍繞第一區域的至少部分邊界線的第二區域,其中,基底組件設有至少覆蓋第一區域的邊界線的光學調整區,在平行于基底組件的面上,光學調整區的預設光線性質在從第一區域的中心向四周輻射的方向上漸變,光學性質為透光率、或折射率中的至少一者。根據本發明實施例的顯示面板,在視覺上減弱了第一區域和第二區域之間的亮度差異,從而提高顯示面板顯示畫面時的視覺效果。
技術領域
本發明涉及顯示領域,具體涉及一種顯示面板。
背景技術
主動矩陣(Active Matrix,AM)驅動技術,是使用薄膜晶體管(Thin FilmTransistor,TFT)陣列控制每個像素發光的顯示驅動技術,以AM方式驅動的顯示面板中,每個像素獨立運作并連續驅動,具有低驅動電壓、低功耗、長壽命等優點。
隨著目前屏下指紋、屏下攝像頭等技術的應用,顯示面板可以包括透光率不同的第一區域和第二區域,其中將透光率較高的第一區域復用為指紋識別、圖像采集等光學功能的復用區域。顯示面板在與指紋識別裝置、圖像采集裝置等組合時,顯示面板的襯底一側設置有吸光的支撐層,并且該支撐層需要在第一區域對應區域開口。此時,顯示面板在顯示時,第一區域和第二區域之間具有明顯的亮度差異,在視覺上產生明顯的亮暗顯示不均現象。
發明內容
本發明提供一種顯示面板,緩解視覺上的亮度顯示不均現象。
第一方面,本發明實施例提供一種顯示面板,其包括:基底組件,包括襯底以及第一膠帶層,襯底包括相對的第一表面和第二表面,第一膠帶層位于襯底的第二表面所在側;支撐膜,位于第一膠帶層背離襯底的一側,支撐膜包括第一開口,使得基底組件具有與第一開口對應的第一區域以及圍繞第一區域的至少部分邊界線的第二區域;驅動陣列層,位于襯底的第一表面所在側;以及發光元件層,位于驅動陣列層的背離襯底一側,其中,基底組件設有至少覆蓋第一區域的邊界線的光學調整區,在平行于基底組件的面上,光學調整區的預設光線性質在從第一區域的中心向四周輻射的方向上漸變,光學性質為透光率、或折射率中的至少一者。
根據本發明第一方面的前述實施方式,光學調整區包括與第一區域重合的第一光學調整區,第一光學調整區的透光率在從第一區域的中心向四周輻射的方向上遞減。
根據本發明第一方面的前述任一實施方式,在第一光學調整區,襯底的透光率在從第一區域的中心向四周輻射的方向上遞減。
根據本發明第一方面的前述任一實施方式,基底組件還包括第二膠帶層,第二膠帶層位于襯底的第二表面所在側,第二膠帶層覆蓋第一區域,第二膠帶層的透光率在從第一區域的中心向四周輻射的方向上遞減。
根據本發明第一方面的前述任一實施方式,第一膠帶層包括與第一開口對應的第二開口。
根據本發明第一方面的前述任一實施方式,光學調整區包括覆蓋第一區域的邊界線并圍繞設置于第一區域外周的第二光學調整區,第二光學調整區的反射率在從第一區域的中心向四周輻射的方向上遞減。
根據本發明第一方面的前述任一實施方式,基底組件還包括光反射層,光反射層位于襯底的第一表面、第二表面中的至少任一表面,光反射層設置于第二光學調整區,并且光反射層的反射率在從第一區域的中心向四周輻射的方向上遞減。
根據本發明第一方面的前述任一實施方式,在第二光學調整區,第一膠帶層的反射率在從第一區域的中心向四周輻射的方向上遞減。
根據本發明第一方面的前述任一實施方式,第二光學調整區外邊緣線上的任意一預設點與第一區域中心相連為虛擬線段,虛擬線段與第一區域的邊界線相交于虛擬點,預設點與虛擬點之間的距離,大于或等于虛擬點與第一區域中心之間的距離。
根據本發明第一方面的前述任一實施方式,第一膠帶層為黃色膠帶層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





