[發明專利]一種降低EL黑點不良的方法有效
| 申請號： | 202011396426.5 | 申請日： | 2020-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN112599633B | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發明（設計）人： | 王浩;徐建華;吳仕梁 | 申請（專利權）人： | 無錫日托光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人： | 徐曉鷺 |
| 地址： | 214000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 el 黑點 不良 方法 | ||
1.一種降低EL黑點不良的方法，其特征在于，所述方法通過調整電池片在背拋光后的工藝順序來縮短將硅片暴露在外部環境的時間，背拋光后，提前對硅片完成背鈍化ALD工藝，從而達到避免硅片嚴重污染，減少EL黑點不良的目的；
所述方法包括以下步驟：
步驟S01，對硅片進行制絨；
步驟S02，通過P擴散方式在P型硅襯底表面制備均勻的摻雜層形成晶體硅太陽能電池的PN結；
步驟S03，對擴散后硅片下表面和邊緣進行腐蝕，去除邊緣的N型硅，使得硅片的上下表面相互絕緣；
步驟S04，對硅片背面進行拋光；
步驟S05，對背表面進行背鈍化ALD；
步驟S06，利用高溫在硅表面形成一層SiO2；
步驟S07，采用PECVD工藝在硅片正面鍍一層SiNx；
步驟S08，在硅片背面沉積一層氮化硅膜；
步驟S09，通過絲網印刷的方式在電池背面制備背電極、鋁背場，在電池正面制備正電極和正面細柵線；
步驟S10，根據電池的電性能、外觀、EL、電阻不良進行分檔，也可以反映前段工藝情況并作出相應調整改善。
2.根據權利要求1所述的一種降低EL黑點不良的方法，其特征在于，所述步驟S03具體為：利用HNO3和HF的混合液體對擴散后硅片下表面和邊緣進行腐蝕，去除邊緣的N型硅，使得硅片的上下表面相互絕緣。
3.根據權利要求1所述的一種降低EL黑點不良的方法，其特征在于，所述步驟S04具體為：利用KOH和拋光添加劑對硅片背面進行拋光。
4.根據權利要求1所述的一種降低EL黑點不良的方法，其特征在于，所述步驟S05，在背面形成一層Al2O3薄膜，對背表面進行鈍化。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
