[發明專利]一種3D NAND結構片干法蝕刻后的深溝槽清洗液有效
| 申請號： | 202011395597.6 | 申請日： | 2020-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN112592777B | 公開（公告）日： | 2021-09-07 |
| 發明（設計）人： | 馮凱;賀兆波;王書萍;張庭;尹印;萬楊陽;鐘昌東;李鑫;倪高國 | 申請（專利權）人： | 湖北興福電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C11D7/32 | 分類號： | C11D7/32;C11D7/08;C11D7/60;C07F7/10 |
| 代理公司： | 宜昌市三峽專利事務所 42103 | 代理人： | 成鋼 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 nand 結構 片干法 蝕刻 深溝 清洗 | ||
【權利要求書】：
1.一種3D NAND結構片干法蝕刻后的深溝槽清洗液，其特征在于，該清洗液主要成分包含質量分數為10-40%硝酸、0.1-0.5%氫氟酸、0.01-0.5%氟硅改性仲胺類有機物，0.1-5%醇胺類緩蝕劑，其余為水，所述氟硅改性仲胺類有機物的通式如式（1）所示：
式（1）：
其中D基團如式（2）所示：
式（2）
其中n為0-12的整數，m、p為小于12的正整數。
2.根據權利要求1所述的3D NAND結構片干法蝕刻后的深溝槽清洗液，其特征在于，所述的3D NAND結構片干法蝕刻的深溝槽深寬比＞50:1。
3.根據權利要求1所述的3D NAND結構片干法蝕刻后的深溝槽清洗液，其特征在于，所述醇胺類緩蝕劑為六甲醇基三聚氰胺、二甲氨基乙醇、二乙氨基乙醇、二乙醇胺、三乙醇胺、N-羥甲基-3,4,5,6-四氫鄰苯二甲酰亞胺中的一種或幾種的混合物。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于湖北興福電子材料有限公司，未經湖北興福電子材料有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011395597.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種推門機構及真空板閥
- 下一篇：停車場以及車輛存取方法
