[發(fā)明專利]傳感器封裝及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011395346.8 | 申請日: | 2020-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN114496817A | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金東禧;金俊守 | 申請(專利權)人: | 哈納米克羅恩公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 朱陽波;王永文 |
| 地址: | 韓國忠清南道*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳感器 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種傳感器封裝,其特征在于,
包括:
基板;
傳感器,安裝于上述基板的一面;以及
模具,在安裝有上述傳感器的基板的面二次成型而成,
上述模具的上部面為單曲率面或多重曲率面。
2.根據(jù)權利要求1所述的傳感器封裝,其特征在于,
上述模具的多重曲率面包括形成上述上部面與上述模具的側面之間的邊界的彎曲面,
上述上部面或彎曲面為平坦面或曲面。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的傳感器封裝,其特征在于,上述模具通過模具鑄模成型。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的傳感器封裝,其特征在于,上述上部面為連接上述模具的相向的兩邊的曲面。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的傳感器封裝,其特征在于,上述上部面為分別連接成對的相向的兩邊的曲面。
6.根據(jù)權利要求1所述的傳感器封裝,其特征在于,作為上述模具的單曲率面的上部面的曲率半徑為3.0mm至7.0mm。
7.根據(jù)權利要求1或2所述的傳感器封裝,其特征在于,上述上部面和上述彎曲面均為曲面,各自的曲率半徑不同。
8.根據(jù)權利要求7所述的傳感器封裝,其特征在于,上述上部面的曲率半徑為3.0mm至7.0mm,上述彎曲面的曲率半徑為2.0mm至6.5mm。
9.根據(jù)權利要求2所述的傳感器封裝,其特征在于,
上述上部面和上述彎曲面均為平坦面,
上述上部面與上述彎曲面相銜接的部分為曲面。
10.根據(jù)權利要求2所述的傳感器封裝,其特征在于,
上述上部面為平坦面,上述彎曲面為曲面,
上述彎曲面的曲率半徑為2.0mm至6.5mm。
11.根據(jù)權利要求2所述的傳感器封裝,其特征在于,
上述上部面和上述彎曲面均為平坦面,
上述上部面與上述彎曲面相銜接的部分為曲率半徑為0.05mm至0.5mm的曲面。
12.根據(jù)權利要求2所述的傳感器封裝,其特征在于,上述模具的側面上端與上述彎曲面或上述上部面的下端相互直接接觸。
13.根據(jù)權利要求2所述的傳感器封裝,其特征在于,上述模具的側面上端與上述彎曲面或上述上部面的下端并不相互直接接觸,作為與上述基板平行的平坦面的放置面位于它們之間。
14.一種傳感器封裝制造方法,其特征在于,
包括:
步驟a),在基板的上部安裝多個傳感器;
步驟b),利用模具鑄模,在安裝多個上述傳感器的基板的上部形成模具;以及
步驟c),切割上述模具和上述基板來分離位于上述基板上的傳感器與在的上部二次成型而成的模具,
在形成上述模具鑄模的模具上部面的區(qū)域中,上部面利用單一或多重曲率的凹陷面來形成上述模具。
15.根據(jù)權利要求14所述的傳感器封裝制造方法,其特征在于,
通過上述單曲率面形成的模具上部面的曲率半徑為3.0mm至7.0mm,
通過上述多重曲率面形成的模具的上部面的曲率半徑為3.0mm至7.0mm,以使位于上述上部面與側面之間的彎曲面的曲率半徑達到2.0mm至6.5mm的方式對模具進行成型。
16.根據(jù)權利要求15所述的傳感器封裝制造方法,其特征在于,
上述上部面和上述彎曲面均為平坦面,
上述上部面與上述彎曲面相銜接的部分為曲率半徑為0.05mm至0.5mm的曲面。
17.根據(jù)權利要求14所述的傳感器封裝制造方法,其特征在于,在上述步驟c)中,在上述彎曲面的下端或上述上部面的下端中切割規(guī)定間隔外側來在上述模具的側面與上述彎曲面或上部面之間形成作為與基板平行的平坦面的放置面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





