[發明專利]紅外增強型硅基光電探測器在審
| 申請號： | 202011395096.8 | 申請日： | 2020-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN112582495A | 公開（公告）日： | 2021-03-30 |
| 發明（設計）人： | 陳全勝;張明;王濤;賀琪 | 申請（專利權）人： | 無錫中微晶園電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/101 | 分類號： | H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司： | 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 楊立秋 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 紅外 增強 型硅基 光電 探測器 | ||
1.一種紅外增強型硅基光電探測器，其特征在于，所述紅外增強型硅基光電探測器包括：正面減反射膜、pn結、正面金屬電極、背面全反射結構、背面反射層和背面金屬電極。
2.根據權利要求1所述的紅外增強型硅基光電探測器，其特征在于，所述的背面全反射結構包含有第一傾斜面和第二傾斜面，所述第一傾斜面和所述第二傾斜面為平面、上凸和/或下凹的表面。
3.根據權利要求1所述的紅外增強型硅基光電探測器，其特征在于，所述第一傾斜面與水平面的夾角為9°~40°，所述第二傾斜面與水平面的夾角為45°~90°。
4.根據權利要求1所述的紅外增強型硅基光電探測器，其特征在于，所述第一傾斜面與水平面的夾角為15°~35°，所述第二傾斜面與水平面的夾角為65°~85°。
5.根據權利要求1所述的紅外增強型硅基光電探測器，其特征在于，所述第一傾斜面與水平面的夾角為9°~15°，所述第二傾斜面與水平面的夾角為45°~90°。
6.根據權利要求1所述的紅外增強型硅基光電探測器，其特征在于，所述背面反射層和背面金屬電極為同一層。
7.根據權利要求1所述的紅外增強型硅基光電探測器，其特征在于，所述背面反射層為氧化硅、氮化硅、氧化鈦、氧化鋁和氧化鉿中的一種或多種的疊層結構。
8.根據權利要求7所述的紅外增強型硅基光電探測器，其特征在于，所述背面反射層為兩種不同介質層進行堆疊組成的布拉格光柵結構。
9.根據權利要求8所述的紅外增強型硅基光電探測器，其特征在于，所述布拉格光柵中兩種介質材料疊層的層數大于等于5層。
10.根據權利要求1至9任一所述的紅外增強型硅基光電探測器，其特征在于，所述背面反射層和背面全反射結構結合被用于包括雪崩光電二極管、光電二極管、光電三極管或者太陽能電池的光電器件中。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
