[發明專利]一種無電容型LDO的瞬態響應增強電路有效
| 申請號： | 202011394727.4 | 申請日： | 2020-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN112527044B | 公開（公告）日： | 2022-04-15 |
| 發明（設計）人： | 姚和平;汪西虎;唐威;蘇海偉 | 申請（專利權）人： | 上海維安半導體有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/571 | 分類號： | G05F1/571;G05F1/46;G05F1/575 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 黨蕾 |
| 地址： | 201323 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電容 ldo 瞬態 響應 增強 電路 | ||
1.一種無電容型LDO的瞬態響應增強電路，其特征在于，包括：
一輸出控制支路，連接于一電壓輸入端和一電壓輸出端之間，用于控制所述電壓輸入端的電壓輸入至所述電壓輸出端；
一泄放支路，連接于所述電壓輸出端和地之間；
一檢測支路，連接于所述電壓輸出端和所述泄放支路之間，以檢測所述電壓輸出端的輸出電壓；
當所述檢測支路檢測到所述輸出電壓中的瞬態尖峰電壓時，通過泄放支路達到抑制輸出電壓過沖的效果；
所述檢測支路包括：
一第一PMOS管，源極連接至所述電壓輸出端并形成所述檢測支路的輸入端，漏極連接至所述泄放支路的輸入端并形成所述檢測支路的輸出端，控制端連接一反饋信號，以檢測所述電壓輸出端的所述輸出電壓；
所述泄放支路包括：
所述第一PMOS管；
一NMOS管，控制端連接至所述第一PMOS管的漏極，漏極連接至所述電壓輸出端，源極接地并形成所述泄放支路的輸出端；
所述輸出控制支路包括：
一放大器，輸入端連接至所述第一PMOS管的漏極；
一第二PMOS管，控制端連接所述放大器的輸出端，源極連接至所述電壓輸入端，漏極連接至所述電壓輸出端并形成所述輸出控制支路的輸出端；
所述輸出控制支路還包括一反饋單元，輸入端連接至所述電壓輸出端，輸出端連接至所述檢測支路，用以輸出所述反饋信號；
所述反饋單元包括一比較器，所述比較器的第一輸入端連接一參考電壓，第二輸入端連接由所述電壓輸出端提供的一反饋電壓，輸出端連接所述第一PMOS管的控制端；
所述輸出控制支路還包括一電流沉，輸入端連接至所述第一PMOS管的漏極，輸出端接地，以向所述放大器提供一偏置電流；
所述檢測支路還包括一電阻，并聯于所述電流沉，連接于所述第一PMOS管的漏極和地之間。
2.如權利要求1所述的瞬態響應增強電路，其特征在于，所述比較器由運算放大器形成。
3.如權利要求1所述的瞬態響應增強電路，其特征在于，所述電阻為多晶電阻。
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