[發明專利]一種超高增益有機放大器及其制備方法

在審

• 申請號: 202011394499.0
• 申請日: 2020-12-03
• 公開（公告）號: CN112530989A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 王欣然;羅中中;施毅
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: H01L27/28
• 分類號: H01L27/28;H01L51/00;H01L51/05;H01L51/40;A61B5/30;A61B5/308;A61B5/318
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 吳飛

1.一種超高增益有機放大器，其特征在于，該超高增益有機放大器由一個驅動晶體管和一個負載晶體管串聯構成，其中負載晶體管的柵極與源極短接；所述驅動晶體管和負載晶體管的柵極介電層為鐵電性氧化物薄膜，半導體溝道層為有機分子薄膜。

2.根據權利要求1所述的超高增益有機放大器，其特征在于，所述鐵電性氧化物薄膜為鉿基鐵電性氧化物薄膜、鈣鈦礦結構鐵電氧化物薄膜中的一種。

3.根據權利要求1所述的超高增益有機放大器，其特征在于，所述有機分子薄膜為有機小分子半導體薄膜、有機聚合物半導體薄膜中的一種。

4.一種權利要求1所述的超高增益有機放大器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)根據有機放大器的結構，在襯底上制備局域柵極金屬層；

(2)在局域柵極金屬層表面生長鐵電性氧化物薄膜作為介電層；

(3)在介電層表面生長單層有機分子薄膜作為半導體溝道層；

(4)在半導體溝道層表面制備電極層。

5.根據權利要求4所述的超高增益有機放大器的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述襯底為剛性襯底或柔性襯底。

6.根據權利要求4所述的超高增益有機放大器的制備方法，其特征在于，所述介電層還包括生長在鐵電性氧化物薄膜表面、用作電容匹配的非鐵電性氧化物薄膜。

7.根據權利要求6所述的超高增益有機放大器的制備方法，其特征在于，所述非鐵電氧化物薄膜為氧化鋁、氧化鋯、氧化硅、氧化鉿、氧化鈦中的一種。