[發明專利]一種降解DMAC電化學活性細菌的培養富集裝置及方法

在審

• 申請號: 202011393762.4
• 申請日: 2020-12-02
• 公開（公告）號: CN112551680A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 陳重軍;謝嘉瑋;常堯楓;張群;潘鈺偉
• 申請（專利權）人: 佛山市南海區蘇科大環境研究院
• 主分類號: C02F3/00
• 分類號: C02F3/00;C02F3/34;C02F101/34;C02F101/38
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 劉俊文

1.一種降解DMAC電化學活性細菌的培養富集裝置，其特征在于，包括：

反應室，其內部為柱狀空腔，所述空腔分別設有進水口和出水口；

富集系統，包括碳纖維刷陽極、不銹鋼陰極、直流電源，所述碳纖維刷陽極懸掛于所述空腔中部，所述不銹鋼陰極環繞所述空腔的內側壁設置，所述直流電源位于反應室外且分別與碳纖維刷陽極、不銹鋼陰極聯通；

攪拌系統，包括磁力攪拌器和轉子，所述磁力攪拌器位于所述反應室的底部外側，所述轉子置于所述反應室的底部。

2.根據權利要求1所述的降解DMAC電化學活性細菌的培養富集裝置，其特征在于，所述碳纖維刷陽極的刷毛末端與所述不銹鋼陰極的間距為2±0.5cm。

3.根據權利要求1所述的降解DMAC電化學活性細菌的培養富集裝置，其特征在于，所述不銹鋼陰極為不銹鋼網。

4.根據權利要求1所述的降解DMAC電化學活性細菌的培養富集裝置，其特征在于，所述反應室由透明亞克力材料制成。

5.根據權利要求1所述的降解DMAC電化學活性細菌的培養富集裝置，其特征在于，所述富集系統還包括參比電極；優選地，所述參比電極為飽和甘汞電極。

6.根據權利要求1所述的降解DMAC電化學活性細菌的培養富集裝置，其特征在于，所述碳纖維刷陽極和所述不銹鋼陰極均通過鈦棒或鈦絲與所述直流電源聯通。

7.根據權利要求1所述的降解DMAC電化學活性細菌的培養富集裝置，其特征在于，所述富集系統的電壓為0.5V，電路中還設有10Ω電阻。

8.一種降解DMAC電化學活性細菌的培養富集方法，其特征在于，包括步驟：

1)使用如權利要求1至7任一項所述的培養富集裝置，將成熟的厭氧污泥注入反應室的空腔內；

2)以含氮源的乙酸鈉溶液模擬廢水作為進水，在厭氧、室溫、外加電壓為0.5V、進水pH為7.23±0.20、水力停留時間為12h的條件運行至電極電勢穩定和COD去除率達到80±2％；

3)向進水注入COD濃度為1000mg/L的實際DMAC廢水，運行至電極電勢穩定和COD去除率達到80±2％；

4)重復步驟3)并每次將實際DMAC廢水的COD濃度提升1000mg/L，直至注入的實際DMAC廢水的COD濃度為5000mg/L，運行至COD去除率達到80±2％且陰極電勢達到-0.85～-0.90V，即得。

9.根據權利要求8所述的培養富集方法，其特征在于，所述成熟的厭氧污泥是指污泥濃度為30～40g/L；優選地，接種后的反應室中污泥濃度為2～3g/L。

10.根據權利要求8所述的培養富集方法，其特征在于，所述的含氮源的乙酸鈉溶液是以蒸餾水為溶劑，溶質包括：0.31g/L的氯化銨，0.13g/L的氯化鉀，1000mg/L的乙酸鈉。