[發明專利]一種陶瓷懸梁式MEMS微熱板及其制造方法在審
| 申請號： | 202011392988.2 | 申請日： | 2020-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN112408311A | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 井華;谷文;陳紅林 | 申請（專利權）人： | 蘇州麥茂思傳感技術有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/02 | 分類號： | B81B7/02;H05B3/14;H05B3/18 |
| 代理公司： | 常州品益專利代理事務所(普通合伙) 32401 | 代理人： | 侯慧娜 |
| 地址： | 215168 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陶瓷 懸梁 mems 微熱板 及其 制造 方法 | ||
1.一種陶瓷懸梁式MEMS微熱板制造方法，其特征在于：包括以下步驟：
S1：清潔單晶硅襯底(1)；
S2：制備陶瓷懸梁層(2)，印刷：將陶瓷漿料以規則圖案印刷在所述單晶硅襯底上；烘干：再將印刷后的所述陶瓷漿料進行初步烘干；煅燒：最后將初步烘干后的所述陶瓷漿料進行煅燒，形成陶瓷層；
S3：制備加熱絲層(3)及其電極端(301)，在所述陶瓷層上通過勻膠光刻技術定義出加熱層及其電極端的形狀及位置，在利用磁控濺射技術沉積一層金屬加熱絲層及其電極端，最后利用剝離工藝去除殘留的光刻膠；
S4：制備絕緣層(4)，采用氣相沉積法在所述加熱絲層上沉積一層絕緣層；
S5：制備測試層(5)及其電極端(501)，采用所述S5步驟制備測試層及其電極端；
S6：蝕刻成型，采用濕法蝕刻，在所述單晶硅襯底背面指定位置用濃硫酸刻穿，得到所述陶瓷懸梁式微熱板。
2.如權利要求1所述的一種陶瓷懸梁式MEMS微熱板制造方式，其特征在于：所述步驟S2中的所述陶瓷懸梁層的懸梁結構的寬度為所述微熱板寬度的2％-30％。
3.如權利要求2所述的一種陶瓷懸梁式MEMS微熱板制造方式，其特征在于：所述步驟S3中的烘干溫度為50-200℃；煅燒溫度為450-1400℃。
4.如權利要求1-3任一權利要求制備的一種陶瓷懸梁式MEMS微熱板，其特征在于：包括：單晶硅襯底(1)；
陶瓷懸梁層(2)，通過印刷、烘干、煅燒在所述單晶硅襯底(1)上；
加熱絲層(3)及其電極端(301)，通過磁控濺射沉積在所述陶瓷懸梁層(2)上；
絕緣層(4)，通過氣相沉積法沉積在所述加熱絲層(3)上；
測試層(5)及其電極端(501)，通過磁控濺射沉積在所述絕緣層(4)上；
所述單晶硅襯底(1)指定位置處刻使所述陶瓷懸梁層(2)的陶瓷懸梁結構(201)懸空成型。
5.如權利要求4所述的一種陶瓷懸梁式MEMS微熱板，其特征在于：所述陶瓷懸梁層(2)為I形的兩組懸梁或者X形的四組懸梁。
6.如權利要求4所述的一種陶瓷懸梁式MEMS微熱板，其特征在于：所述陶瓷懸梁層(2)的厚度為50-800μm。
7.如權利要求4所述的一種陶瓷懸梁式MEMS微熱板，其特征在于：所述加熱絲層(3)和所述測試層(5)的厚度為50-500nm。
8.如權利要求4所述的一種陶瓷懸梁式MEMS微熱板，其特征在于：所述絕緣層(4)的厚度為100-800nm。
9.如權利要求5-8任一權利要求所述的一種陶瓷懸梁式MEMS微熱板，其特征在于：所述絕緣層(4)為氧化硅層或氮化硅層。
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