[發明專利]一種低壓過溫降流LED驅動電路

有效

• 申請號: 202011392476.6
• 申請日: 2020-12-02
• 公開（公告）號: CN112492718B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 陳長興;饒忠;朱興雙
• 申請（專利權）人: 上海裕芯電子科技有限公司
• 主分類號: H05B45/10
• 分類號: H05B45/10;H05B45/30;H05B45/56
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陶金龍

1.一種低壓過溫降流LED驅動電路，用于驅動低壓過溫降流調節電路工作；其特征在于，其包括芯片內部電路和外圍電路；所述外圍電路包括電感L和照明LED，所述芯片內部電路包括電壓比較電路CMP、延時電路及驅動電路；

引腳LX與供電端VDD分別接在電壓比較電路CMP的正負輸入端，所述電壓比較電路CMP的輸出端接在或非門NOR1的一輸入端；所述延時電路的輸入端接CTL信號，所述延時電路的輸出端接所述NOR1的另一輸入端；所述低壓過溫降流調節電路輸出端接電阻R的一端、NMOS管MN1的漏端及施密特觸發器SMT的輸入端，所述電阻R的另一端接供電端VDD，所述NMOS管MN1的源端連接地端GND，所述NMOS管MN1的柵端接信號nCTL；所述nCTL由信號CTL經反相器INV產生；或非門NOR2與或非門NOR3形成鎖存器，所述鎖存器的兩端分別為NOR1的輸出端及SMT的輸出端，所述鎖存器輸出端接驅動電路的輸入端；所述驅動電路輸出端輸出CTL信號，并控制NMOS管MN2的柵極，所述NMOS管MN2的源極連接地端GND，所述NMOS管MN2的漏極接引腳LX；

其中，當芯片開始供電后，受軟啟動影響，CTL信號為低，此時NMOS管MN1的柵極信號為高，經過施密特觸發器SMT后控制或非門NOR3的信號為低，VDD與電感、LED到GND形成通路，由于此時電壓低于LED開啟電壓，VDD與LX電壓相等，或非門NOR1兩個輸入信號均為低電平，通過鎖存器后使得NOR3輸出信號為高，即所述低壓過溫降流調節電路不工作；

當芯片穩定工作后，CTL信號與或非門NOR3信號一致，此時CTL信號為高；CTL經反相器后nCTL信號為低，此時NMOS管MN1關閉，低壓過溫降流調節電路開始工作，即開始通過電阻R進行充電；當充滿后，施密特觸發器SMT信號電平開始翻轉，此時控制CTL信號為低電平；由于電感有續流的作用，當CTL從高到低時，LX電平大于供電端VDD的電平，或非門NOR1輸出信號為高電平，因CTL信號為低，NMOS管MN1導通，施密特觸發器SMT信號輸出為低，此時使CTL信號再次為高，即所述低壓過溫降流調節電路不工作。

2.根據權利要求1所述的低壓過溫降流LED驅動電路；其特征在于，所述低壓過溫降流調節電路包括PMOS管P1、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、施密特觸發器SMT1和NMOS管N1；所述PMOS管源端接供電端VDD，所述PMOS管的柵極與漏極短接并連到所述電阻R1的一端；所述NMOS管N1的源極連接地端GND，所述NMOS管N1的柵極接所述施密特觸發器SMT1的輸出端。

3.根據權利要求2所述的低壓過溫降流LED驅動電路；其特征在于，所述低壓過溫降流調節電路還包括PMOS管P2、NMOS管N2、NPN管Q1、電容C0和電容C1；所述電阻R1的另一端與施密特觸發器SMT1輸入端及電阻R2一端相連接，所述R2的另一端連接到電阻R3的一端及所述NMOS管N2的柵極；所述R3的另一端連接到所述R4的一端及所述NPN管Q1的基極；所述R4的另一端連接到所述R5的一端及所述NMOS管N1的漏極，所述R5的另一端連接地端GND；所述NMOS管N1的柵極接PMOS管P2的柵極；所述PMOS管P2的源極接供電端VDD，所述PMOS管P2的漏極與電容C0和電容C1的一端相連，所述電容C1另一端接所述NMOS管N2的漏極，電容C0另一端接所述NPN管Q1的集電極，所述NPN管Q1的發射級及所述NMOS管N2的源極連接地端GND。

4.根據權利要求3所述的低壓過溫降流LED驅動電路；其特征在于，所述低壓過溫降流調節電路還包括電容C2，所述電容C2的一端與所述PMOS管P2的漏極、電容C0和電容C1的一端相連，所述電容C2的另一端連接地端GND。

5.根據權利要求4所述的低壓過溫降流LED驅動電路，其特征在于，所述NMOS管N2還包括NPN。

6.根據權利要求5所述的低壓過溫降流LED驅動電路，其特征在于，所述NMOS管MN1還包括NPN。

7.根據權利要求1所述的低壓過溫降流LED驅動電路，其特征在于，所述芯片內部電路集成在一顆芯片里。