[發明專利]一種提高光罩圖形線寬均勻性的方法及裝置

在審

• 申請號: 202011389915.8
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112542375A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 張家瑋;蔡奇澄;黃鉦為;李雙雙
• 申請（專利權）人: 泉芯集成電路制造（濟南）有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;G03F1/76
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李曉光

本發明提供了一種提高光罩圖形線寬均勻性的方法及裝置，所述方法包括：獲取目標光罩圖形的線寬均勻性要求；獲取設計圖形；基于所述設計圖形仿真獲得光罩仿真圖形；判斷所述光罩仿真圖形的線寬均勻性是否滿足所述線寬均勻性要求；若否，則在所述設計圖形的周圍不斷添加亞分辨率虛擬圖形，改變所述設計圖形的圖形密度，構成目標設計圖形；基于所述目標設計圖形，在光罩襯底上形成所述目標光罩圖形。該方法通過在設計圖形的周圍不斷添加亞分辨率虛擬圖形，豐富設計圖形的周圍環境，即改變所述設計圖形的圖形密度，進而改善目標光罩圖形的線寬均勻性，提高產品良率。

技術領域

本發明涉及半導體工藝技術領域，更具體地說，涉及一種提高光罩圖形線寬均勻性的方法及裝置。

背景技術

光罩一般通過高分辨率的電子束將設計圖形曝光在光阻上，被曝光的區域經過顯影、刻蝕等工序后，會把設計圖形制備在光罩襯底上。

但是，當設計圖形的周圍環境比較稀疏時，即設計圖形的圖形密度較低時，會導致經刻蝕工序后的光罩圖形的線寬異常，導致芯片圖形線寬均勻性較差，進而影響產品良率。

發明內容

有鑒于此，為解決上述問題，本發明提供一種提高光罩圖形線寬均勻性的方法及裝置，技術方案如下：

一種提高光罩圖形線寬均勻性的方法，所述方法包括：

獲取目標光罩圖形的線寬均勻性要求；

獲取設計圖形；

基于所述設計圖形仿真獲得光罩仿真圖形；

判斷所述光罩仿真圖形的線寬均勻性是否滿足所述線寬均勻性要求；

若否，則在所述設計圖形的周圍不斷添加亞分辨率虛擬圖形，改變所述設計圖形的圖形密度，構成目標設計圖形；

基于所述目標設計圖形，在光罩襯底上形成所述目標光罩圖形。

可選的，在上述方法中，所述方法還包括：

當所述光罩仿真圖形的線寬均勻性滿足所述線寬均勻性要求，則基于所述設計圖形在所述光罩襯底上形成所述目標光罩圖形。

可選的，在上述方法中，所述亞分辨率虛擬圖形具有透光性。

可選的，在上述方法中，所述亞分辨率虛擬圖形用于增強所述設計圖形周圍的曝光強度。

可選的，在上述方法中，所述亞分辨率虛擬圖形用于對曝光光線進行散射處理。

可選的，在上述方法中，基于所述目標設計圖形仿真得到的光罩仿真圖形的線寬均勻性滿足所述線寬均勻性要求。

一種提高光罩圖形線寬均勻性的裝置，所述裝置包括：

第一獲取模塊，用于獲取目標光罩圖形的線寬均勻性要求；

第二獲取模塊，用于獲取設計圖形；

仿真模塊，用于基于所述設計圖形仿真獲得光罩仿真圖形；

判斷模塊，用于判斷所述光罩仿真圖形的線寬均勻性是否滿足所述線寬均勻性要求；

調整模塊，用于若否，則在所述設計圖形的周圍不斷添加亞分辨率虛擬圖形，改變所述設計圖形的圖形密度，構成目標設計圖形；

第一執行模塊，用于基于所述目標設計圖形，在光罩襯底上形成所述目標光罩圖形。

可選的，在上述裝置中，所述裝置還包括：

第二執行模塊，用于當所述光罩仿真圖形的線寬均勻性滿足所述線寬均勻性要求，則基于所述設計圖形在所述光罩襯底上形成所述目標光罩圖形。

相較于現有技術，本發明實現的有益效果為：