[發明專利]一次性編程存儲器裝置

在審

• 申請號: 202011389587.1
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112992242A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 賴昇志;林仲德
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C17/14
• 分類號: G11C17/14;G11C17/16
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

本公開提供一次性編程存儲器裝置。一次性編程存儲器裝置包括一源極線、一位元線、一通道隔離結構、一通道結構、一垂直柵極電極以及一柵極介電層。源極線設置在底部介電層上方。位元線在第一方向上直接設置在源極線上方。通道隔離結構直接設置在源極線和位元線之間。在垂直于第一方向的第二方向上，通道結構設置在源極線與位元線之間并位于通道隔離結構旁邊。垂直柵極電極在第一方向上從底部介電層延伸到位元線，并在第二方向上設置在通道隔離結構的旁邊。柵極介電層設置在垂直柵極電極與位元線、源極線和通道結構之間。

技術領域

本發明實施例涉及一次性編程(one-time program，OTP)存儲器裝置，且特別涉及具有垂直熔絲OTP存儲器單元的一次性編程存儲器裝置。

背景技術

許多現代電子裝置包括電子存儲器。電子存儲器是被配置為將位元的數據存儲在各個存儲器單元中的裝置。存儲器單元是配置為通常使用一個或多個晶體管來存儲一位元的數據的電路。一種類型的電子存儲器是一次性編程(one-time program，OTP)存儲器。OTP存儲器是只讀存儲器，其只能被編程(例如寫入)一次。

發明內容

本發明實施例提供一種一次性編程(OTP)存儲器裝置。OTP存儲器裝置包括一源極線、一位元線、一通道隔離結構、一通道結構、一垂直柵極電極以及一柵極介電層。源極線設置在底部介電層上方。位元線在第一方向上直接設置在源極線上方。通道隔離結構直接設置在源極線和位元線之間。在垂直于第一方向的第二方向上，通道結構設置在源極線與位元線之間并位于通道隔離結構旁邊。垂直柵極電極在第一方向上從底部介電層延伸到位元線，并在第二方向上設置在通道隔離結構的旁邊。柵極介電層設置在垂直柵極電極與位元線、源極線和通道結構之間。

附圖說明

圖1是顯示根據本公開一些實施例所述的包括第一和第二垂直熔絲OTP晶體管的垂直熔絲存儲器陣列的剖面圖。

圖2是顯示根據本公開一些實施例所述的耦接到控制電路的第一晶體管和第二晶體管的示意圖。

圖3是顯示根據本公開一些實施例所述的設置在互連結構上方的第一垂直熔絲晶體管和第二垂直熔絲晶體管的剖面圖。

圖4是顯示根據本公開一些實施例所述的以2乘2的OTP存儲器單元方向設置的垂直熔絲OTP存儲器陣列的剖面圖。

圖5是顯示根據本公開一些實施例所述的以4乘1的OTP存儲器單元方向設置的垂直熔絲OTP存儲器陣列的剖面圖。

圖6是顯示根據本公開一些實施例所述的形成垂直熔絲OTP存儲器陣列的方法的剖面圖。

圖7是顯示根據本公開一些實施例所述的形成垂直熔絲OTP存儲器陣列的方法的剖面圖。

圖8是顯示根據本公開一些實施例所述的形成垂直熔絲OTP存儲器陣列的方法的剖面圖。

圖9是顯示根據本公開一些實施例所述的形成垂直熔絲OTP存儲器陣列的方法的剖面圖。

圖10是顯示根據本公開一些實施例所述的形成垂直熔絲OTP存儲器陣列的方法的剖面圖。

圖11是顯示根據本公開一些實施例所述的形成垂直熔絲OTP存儲器陣列的方法的剖面圖。

圖12是顯示根據本公開一些實施例所述的形成垂直熔絲OTP存儲器陣列的方法的剖面圖。

圖13是顯示根據本公開一些實施例所述的形成垂直熔絲OTP存儲器陣列的方法的剖面圖。

圖14是顯示根據本公開一些實施例所述的形成垂直熔絲OTP存儲器陣列的方法的剖面圖。

圖15是顯示根據本公開一些實施例所述的形成包括2乘2個垂直熔絲OTP存儲器單元的垂直熔絲OTP存儲器陣列的方法的流程圖。

其中，附圖標記說明如下：