[發(fā)明專利]功率轉(zhuǎn)換裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011389383.8 | 申請日: | 2020-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN112951818A | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 橋居直也 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L25/18 | 分類號: | H01L25/18;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/552 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 熊風;宋俊寅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 功率 轉(zhuǎn)換 裝置 | ||
1.一種功率轉(zhuǎn)換裝置,具有:構(gòu)成功率轉(zhuǎn)換電路的多個功率半導體元件;以及對所述功率半導體元件進行驅(qū)動控制的控制電路基板,其特征在于,該功率轉(zhuǎn)換裝置包括:
框體,該框體在內(nèi)部具有散熱器的冷卻面;
支承殼體,該支承殼體設(shè)置在所述框體的內(nèi)部,對所述功率半導體元件進行保持以利用所述散熱器的所述冷卻面來使所述功率半導體元件冷卻,并且內(nèi)置經(jīng)由匯流條連接到所述功率半導體元件的直流輸入端子和交流輸出端子,將所述控制電路基板固定為與所述功率半導體元件的表面相對且平行;
保持板,該保持板固定于所述支承殼體,并在與所述控制電路基板之間具有隔著空間而相對的具有彈性的保持片;以及
引導構(gòu)件,該引導構(gòu)件配置于所述空間,將從所述功率半導體元件延伸出的中繼端子引導到設(shè)置于所述控制電路基板的通孔,
所述引導構(gòu)件安裝于所述控制電路基板的與所述功率半導體元件相對的表面,并被所述保持片所按壓。
2.如權(quán)利要求1所述的功率轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,
所述匯流條由直流側(cè)的匯流條和交流側(cè)的匯流條構(gòu)成,
所述直流側(cè)的匯流條的一部分插入至所述支承殼體,并連接至所述功率轉(zhuǎn)換電路的直流端子與所述功率半導體元件,
所述交流側(cè)的匯流條的一部分插入至所述支承殼體,并連接至所述功率轉(zhuǎn)換電路的交流端子與所述功率半導體元件,
具備配置在所述框體內(nèi)、與所述功率轉(zhuǎn)換電路的所述直流端子相連接的濾波電容器,
所述控制電路基板的表面與所述濾波電容器的表面相對且平行地配置,
所述直流側(cè)的匯流條和所述交流側(cè)的匯流條配置為相對于所述控制電路基板平行地延伸。
3.如權(quán)利要求1或2所述的功率轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,
所述引導構(gòu)件經(jīng)由防振構(gòu)件安裝在所述控制電路基板的表面。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的功率轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,
所述中繼端子在所述控制電路基板的相對于安裝有所述引導構(gòu)件的表面成為背面?zhèn)鹊谋砻嫔?,通過焊接接合部與所述控制電路基板電連接,
包括:覆蓋所述焊接接合部的絕緣性防振構(gòu)件;
以及具有按壓片的按壓板,所述按壓片將所述絕緣性防振構(gòu)件按壓到成為所述控制電路基板的所述背面?zhèn)鹊谋砻娌⒕哂袕椥浴?/p>
5.一種功率轉(zhuǎn)換裝置,具有:構(gòu)成功率轉(zhuǎn)換電路的多個功率半導體元件;以及對所述功率半導體元件進行驅(qū)動控制的控制電路基板,其特征在于,該功率轉(zhuǎn)換裝置包括:
框體,該框體在內(nèi)部具有散熱器的冷卻面;
支承殼體,該支承殼體設(shè)置在所述框體的內(nèi)部,對所述功率半導體元件進行保持以利用所述散熱器的所述冷卻面來使所述功率半導體元件冷卻,并且內(nèi)置經(jīng)由匯流條連接到所述功率半導體元件的直流輸入端子和交流輸出端子,將所述控制電路基板固定為與所述功率半導體元件的表面相對且平行;
屏蔽板,該屏蔽板配置在所述控制電路基板與所述功率半導體元件之間;
保持片,該保持片設(shè)置于所述屏蔽板并具有彈性;以及
引導構(gòu)件,該引導構(gòu)件配置在所述保持片與所述控制電路基板之間,將從所述功率半導體元件延伸出的中繼端子引導到設(shè)置于所述控制電路基板的通孔,
所述引導構(gòu)件安裝于所述控制電路基板的與所述功率半導體元件相對的表面,并被所述保持片所按壓。
6.如權(quán)利要求5所述的功率轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,
所述匯流條由直流側(cè)的匯流條和交流側(cè)的匯流條構(gòu)成,
所述直流側(cè)的匯流條的一部分插入至所述支承殼體,并連接至所述功率轉(zhuǎn)換電路的直流端子與所述功率半導體元件,
所述交流側(cè)的匯流條的一部分插入至所述支承殼體,并連接至所述功率轉(zhuǎn)換電路的交流端子與所述功率半導體元件,
具備配置在所述框體內(nèi)、與所述功率轉(zhuǎn)換電路的所述直流端子相連接的濾波電容器,
所述控制電路基板與所述濾波電容器的表面相對且平行地配置,
所述直流側(cè)的匯流條和所述交流側(cè)的匯流條配置為相對于所述控制電路基板平行地延伸,
所述屏蔽板相對于所述控制電路基板平行地配置。
7.如權(quán)利要求5或6所述的功率轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,
在所述保持片與所述引導構(gòu)件之間配置有防振構(gòu)件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件
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