[發明專利]一種可調制光柵陣列結構的外延材料生長方法有效
| 申請號： | 202011389027.6 | 申請日： | 2020-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN112687768B | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發明（設計）人： | 南琦 | 申請（專利權）人： | 木昇半導體科技（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京化育知識產權代理有限公司 11833 | 代理人： | 尹均利 |
| 地址： | 215011 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 調制 光柵 陣列 結構 外延 材料 生長 方法 | ||
1.一種可調制光柵陣列結構的外延材料生長方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)在金剛石襯底上生長AlN層；
(2)在所述AlN層上生長n型AlGaN層；
(3)在所述n型AlGaN層上依次生長AlGaN阱層、AlGaN/AlN過渡層和C基金剛石層、AlN量子壘層，重復生長若干組AlGaN阱層、AlGaN/AlN過渡層和C基金剛石層、AlN量子壘層形成多量子阱層；
(4)在所述多量子阱層上生長P型AlGaN層；所述C基金剛石層呈偏振光柵陣列。
2.根據權利要求1所述的可調制光柵陣列結構的外延材料生長方法，其特征在于，所述AlGaN阱層的生長溫度為1000-1300℃。
3.根據權利要求1所述的可調制光柵陣列結構的外延材料生長方法，其特征在于，所述AlGaN/AlN過渡層的厚度為100-300nm。
4.根據權利要求1所述的可調制光柵陣列結構的外延材料生長方法，其特征在于，所述C基金剛石層的生長具體為：在1300-1500℃，通入C源，采用高溫CVD反應生產金剛石致密層薄膜，所述C源為CH4/H2氣體。
5.根據權利要求1所述的可調制光柵陣列結構的外延材料生長方法，其特征在于，所述C基金剛石層的生長溫度比AlGaN阱層生長溫度高100-500℃。
6.根據權利要求1所述的可調制光柵陣列結構的外延材料生長方法，其特征在于，所述C基金剛石層中摻雜一定組分的Si元素，調制金剛石層的導電特性。
7.根據權利要求1所述的可調制光柵陣列結構的外延材料生長方法，其特征在于，所述AlN層呈納米柱陣列結構。
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