[發明專利]一種基于DKDP晶體的低電壓高重復頻率電光開關在審
| 申請號: | 202011388881.0 | 申請日: | 2020-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN112327519A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發明(設計)人: | 吳季;劉紅梅;郭杭濤;王城強;陳偉;張星;陳秋華 | 申請(專利權)人: | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/03 | 分類號: | G02F1/03;G02B1/11 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 350003 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 dkdp 晶體 電壓 重復 頻率 電光 開關 | ||
一種低電壓高重復頻率電光開關,包括主體結構,兩個尺寸相同的45°z?cut的DKDP晶體密封在主體結構中,兩個DKDP晶體在Z軸相互垂直放置以補償自然雙折射,并在z軸方向施加極性相反的驅動電壓,通光方向與晶體z軸垂直并分別與x軸或y軸成45°。在DKDP晶體和電極之間具有緩沖介質以緩解振鈴效應。所述DKDP晶體為多塊DKDP晶體串聯的結構。本發明通過兩個晶體z軸垂直放置來補償DKDP晶體的自然雙折射,從而降低晶體的驅動電壓,同時降低了電光開關的溫度敏感性,通過串聯的方式來增加晶體的長度,進一步降低開關所需要的工作電壓,電光開關的窗片和DKDP晶體的通光表面都鍍有增透膜,透過率可達95%。
技術領域
本發明涉及一種激光器件領域,尤其是涉及一種基于DKDP晶體的低電壓高重復頻率的電光開關。
背景技術
電光開關是一種基于晶體普克爾斯效應制成的電光調制器,通過在晶體電極上施加電壓來改變輸出光的偏振態。
根據晶體電壓加壓方向的不同,普克爾效應又分為橫向普克爾效應和縱向普克爾效應,橫向普克爾效應的加壓方向與通光方向垂直,縱向普克爾效應的加壓方向與通光方向平行。
KDP類晶體是最早最眾所周知的電光晶體材料,有很高的光學均勻性,消光比可達1000:1以上。市面上一般DKDP晶體都用其縱向電光效應做電光開關,此種情況下晶體的工作電壓恒定,一般都在kV級以上。另外,由于DKDP晶體自身存在較嚴重的壓電振鈴效應,常規DKDP晶體的電光開關重復頻率一般kHz以下,無法在較高重復頻率下使用。
因此,如何能夠應用DKDP晶體作為電光開關,且降低電光開關的驅動電壓,提高該電光開關的驅動頻率,成為現有技術亟需解決的技術問題。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的不足,提供了一種基于DKDP晶體的低電壓高重頻電光開關。利用DKDP晶體的橫向電光效應,可以通過改變晶體截面與長度的比值來控制所需要的工作電壓,降至百伏級,采用密閉式結構,透過率可以達到95%,重復頻率可達100kHz。
為達此目的,本發明采用以下技術方案:
一種低電壓高重復頻率電光開關,其特征在于:
包括主體結構,在主體結構的兩端分別具有端蓋,所述端蓋與所述主體結構通過螺紋連接,并且具有墊圈進行密封,所有元件均通過墊圈及螺紋鎖緊密封在結構內,以防止晶體潮解。
在主體結構中放置有兩個尺寸相同的45°z-cut的DKDP晶體,兩個所述DKDP晶體具有電極以施加極性相反的驅動電壓,兩個所述DKDP晶體的Z軸相互垂直放置以補償自然雙折射,通光方向與晶體z軸垂直并分別與x軸或y軸成45°。
可選的,所述電極是在兩個所述DKDP晶體的z軸方向上施加極性相反的驅動電壓。
可選的,在所述DKDP晶體和所述電極之間具有緩沖介質,所述緩沖介質為質軟的導電材料。
可選的,所述導電材料為導電橡膠或銦膜。
可選的,在主體結構的端蓋處具有窗片,用于進行所述電光開關的通光,通過螺紋將所述端蓋、窗片和墊圈與主體結構鎖緊,以防止晶體的潮解。
可選的,所述DKDP晶體與窗片表面都鍍有增透膜以減少插入損耗,使得電光開關的整體透過率在95%以上。
可選的,z軸方向相同的所述DKDP晶體為多塊DKDP晶體串聯的結構,從而降低開關所需要的工作電壓,對于多塊串聯后的z軸方向相同的DKDP晶體,與垂直方向不同另外的多塊串聯后的DKDP晶體整體光程差相同。
可選的,在所述電光開關的兩側分別具有起偏器和檢偏器,所述起偏器和檢偏器的偏振方向互相垂直,光線垂直晶體z軸入射且入射光線的偏振方向與晶體z軸成45°夾角。
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