[發明專利]用于控制基板上的圖案的形狀的方法和設備

在審

• 申請號: 202011388472.0
• 申請日: 2020-12-02
• 公開（公告）號: CN112951717A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 勝沼隆幸
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種處理基板的方法，包括以下步驟：

在第一階段，在保持有基板的腔室中執行混合氣體施用循環，包括：

將第一氣體引入所述腔室中持續第一時間段，使所述第一氣體的組分吸附到所述基板上，以及

隨后，引入第二氣體持續第二時間段，使所述第二氣體與所述第一氣體的組分反應以在所述基板的圖案的側壁上提供保護層，并且所述第二氣體蝕刻所述圖案的底部，所述第一時間段與所述第二時間段之比為使用比；

以及

在第二階段，以不同的使用比重復所述混合氣體施用循環，所述不同的使用比對應于所述圖案的豎直尺寸。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一氣體為前體，所述第二氣體為反應氣體。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述前體為含硅氣體，所述反應氣體為氧自由基氣體。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述圖案為孔，并且所述第一階段的所述使用比被設置為小于所述第二階段的所述不同的使用比，以形成形狀逐漸變窄的孔。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述圖案為孔，并且所述第一階段中使用的所述使用比被設置為大于所述第二階段中的所述不同的使用比，以形成朝向所述孔的底部具有更寬尺寸的孔。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第一階段，在保持所述使用比的同時重復所述混合氣體施用循環。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：

通過以大于所述第一階段的所述使用比和所述第二階段的所述不同的使用比的使用比重復所述混合氣體施用循環來執行第三階段。

8.根據權利要求7所述的方法，其中在所述第一階段執行的混合氣體施用循環的數量大于在所述第二階段執行的混合氣體施用循環的數量，并且所述第一階段中的所述使用比大于所述第二階段中的所述不同的使用比。

9.根據權利要求8所述的方法，其中在所述第二階段執行的混合氣體施用循環的數量大于在所述第三階段執行的混合氣體施用循環的數量，并且所述第二階段中的所述不同的使用比大于所述第三階段中的所述使用比。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述混合氣體施用循環包括施用所述第一氣體和所述第二氣體中的至少一種作為等離子體。

11.根據權利要求1所述的方法，其中引入第二氣體包括在所述第一時間段之后已經經過預定時間之后引入所述第二氣體。

12.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第一階段，在引入所述第一氣體和引入所述第二氣體之間執行中間步驟。

13.根據權利要求1所述的方法，其中在引入所述第一氣體的步驟中使用的腔室與在引入所述第二氣體的步驟中使用的腔室不同。

14.一種處理基板的方法，包括以下步驟：

在第一階段，在保持有基板的腔室中執行混合氣體施用循環，包括：

將第一氣體引入所述腔室中持續第一時間段，使所述第一氣體的組分吸附到所述基板上，

隨后，在第一條件下引入第二氣體，使所述第二氣體與所述第一氣體的組分反應以在所述基板的圖案的側壁上提供保護層，以及

隨后，在第二條件下引入另一種氣體持續第二時間段，以蝕刻所述圖案的底部，所述第一時間段與所述第二時間段之比為使用比；

以及

在第二階段，以不同的使用比重復所述混合氣體施用循環，所述不同的使用比對應于所述圖案的豎直尺寸。

15.根據權利要求14所述的方法，還包括：

在所述第一階段，在保持所述使用比的同時重復所述混合氣體施用循環。