[發明專利]一種三維存儲器及其制備方法

有效

• 申請號: 202011388016.6
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112490247B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 王人焱;吳智鵬;韓凱;尹航;張強威;徐偉
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578
• 代理公司: 北京英思普睿知識產權代理有限公司 16018
• 代理人: 劉瑩;聶國斌

1.一種制備三維存儲器的方法，所述三維存儲器包括具有交替堆疊的柵極層和層間絕緣層的疊層結構，所述疊層結構包括臺階區，其特征在于，所述方法包括：

在所述臺階區形成穿過所述疊層結構并延伸至所述柵極層的字線接觸孔，其中，所述臺階區中的每個臺階包括一個所述柵極層；

在所述字線接觸孔的內側壁形成絕緣阻隔層，所述絕緣阻隔層包括由不完全相同的高介電常數材料構成的多層；以及

在所述字線接觸孔的剩余空間內形成連接至所述柵極層的導電層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣阻隔層的材料選自由氧化鋁、氧化鉿、氧化鑭、氧化釔、氧化鉭及其任意組合組成的組。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述導電層之前，還包括：

在所述絕緣阻隔層的遠離所述內側壁的表面上形成黏合層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述黏合層的材料選自由鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭及其任意組合組成的組。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述黏合層之前，所述方法還包括：

在所述絕緣阻隔層上形成犧牲保護層；以及

去除所述絕緣阻隔層和所述犧牲保護層位于所述字線接觸孔底部的部分，以暴露所述柵極層。

6.根據權利要求5所述的方法，在形成所述黏合層之前，所述方法還包括：

去除所述絕緣阻隔層上的所述犧牲保護層。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成連接至所述柵極層的導電層包括：

使用導電材料填充所述字線接觸孔的剩余空間。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的方法還包括：

在所述臺階區形成貫穿所述疊層結構的虛擬溝道孔，其中，所述虛擬溝道孔以預定間距排列在所述字線接觸孔周圍。

9.一種三維存儲器，包括由柵極層和層間絕緣層交替堆疊形成的疊層結構，所述疊層結構包括臺階區，其特征在于，所述三維存儲器還包括：

字線接觸結構，所述字線接觸結構在所述臺階區內穿過所述疊層結構延伸至所述柵極層，并具有導電層和圍繞所述導電層的絕緣阻隔層，其中，所述臺階區中的每個臺階包括一個所述柵極層，以及所述絕緣阻隔層包括由不完全相同的高介電常數材料形成的多層。

10.根據權利要求9所述的三維存儲器，其特征在于，所述字線接觸結構還包括位于所述絕緣阻隔層和所述導電層之間的黏合層。

11.根據權利要求9所述的三維存儲器，其特征在于，所述絕緣阻隔層的材料選自由氧化鋁、氧化鉿、氧化鑭、氧化釔、氧化鉭及其任意組合組成的組。

12.根據權利要求10所述的三維存儲器，其特征在于，所述黏合層的材料選自由鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭及其任意組合組成的組。

13.根據權利要求9所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括：

虛擬溝道，設置于所述臺階區并貫穿所述疊層結構，并且所述虛擬溝道以預定間距排列在所述字線接觸結構周圍。