[發明專利]具有內連接結構的半導體元件及其制備方法

在審

• 申請號: 202011387337.4
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112992853A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 施信益
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體元件，包括：

一導電圖案，設置在一半導體基底上；

一內連接結構，設置在該導電圖案上；

一內連接襯墊，設置在該內連接結構與該導電圖案之間，并圍繞該內連接結構設置，其中該內連接襯墊的多個內側壁表面直接接觸該內連接結構，且該內連接襯墊的多個外側壁表面之間的一最大距離大于該導電圖案的一寬度；以及

一半導體晶粒，接合到該半導體基底，其中該半導體晶粒包括一導電墊，面對該內連接結構設置，其中該導電墊電性連接到該導電圖案。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中，該內連接結構的一寬度大于該導電圖案的該寬度。

3.如權利要求1所述的半導體元件，其中，該內連接襯墊具有一突出部，直接接觸該導電圖案的一側壁表面。

4.如權利要求3所述的半導體元件，還包括：

一側壁間隙子，設置在該導電圖案的該側壁表面上，其中該內連接襯墊的該突出部直接接觸該側壁間隙子。

5.如權利要求4所述的半導體元件，還包括：

一襯墊層，覆蓋該半導體基底以及該側壁間隙子的一側壁表面，其中該襯墊層的一材料相同于該側壁間隙子的一材料。

6.如權利要求5所述的半導體元件，還包括：

一第一鈍化層，設置在該襯墊層上，并圍繞該內連接襯墊設置；以及

一第二鈍化層，設置在該第一鈍化層上，并圍繞該內連接襯墊設置，其中該內連接結構與該內連接襯墊從該第二鈍化層突伸。

7.如權利要求6所述的半導體元件，其中，該第一鈍化層由氧化硅所制，而該第二鈍化層、該襯墊層以及該側壁間隙子則由氮化硅所制。

8.一種半導體元件，包括：

一導電圖案，設置在一半導體基底上；

一內連接結構，設置在該導電圖案上；

一內連接襯墊，設置在該內連接結構與該導電圖案之間，并圍繞該內連接結構設置，其中該內連接襯墊具有一突出部，直接接觸該導電圖案的一側壁表面；以及

一半導體晶粒，接合到該半導體基底，其中，該半導體晶粒包括一導電墊，且該導電墊透過該內連接結構與該內連接襯墊而電性連接到該導電圖案。

9.如權利要求8所述的半導體元件，還包括：

一側壁間隙子，設置在該導電圖案的該側壁表面上；以及

一襯墊層，覆蓋該半導體基底與該側壁間隙子，其中該內連接襯墊的該突出部、該導電圖案、該半導體基底以及該襯墊層包圍該側壁間隙子。

10.如權利要求9所述的半導體元件，其中，該襯墊層的一最頂點高于該內連接襯墊的該突出部的一下表面。

11.如權利要求9所述的半導體元件，還包括：

一第一鈍化層，設置在該襯墊層上；以及

一第二鈍化層，設置在該第一鈍化層上，其中該第一鈍化層與該第二鈍化層由不同材料所制；以及

其中該第一鈍化層與該第二鈍化層鄰接該內連接襯墊的一側壁表面，且該內連接襯墊的一上表面高于該第二鈍化層的一上表面。

12.如權利要求8所述的半導體元件，其中，該內連接結構具有一錐形寬度，其從一上部到一下部逐漸變細。

13.如權利要求8所述的半導體元件，其中，該導電墊直接接觸該內連接結構與該內連接襯墊。