[發明專利]接觸孔和多晶硅圖形的套刻偏差的檢測方法

有效

• 申請號: 202011387239.0
• 申請日: 2020-12-02
• 公開（公告）號: CN112635344B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 寧威;李磊
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種接觸孔和多晶硅圖形的套刻偏差的檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、利用被檢測產品的接觸孔和多晶硅圖形的套刻偏差和電子束檢測設備掃描形成的所述接觸孔的圖像亮度具有相關性的特點，預先形成所述被檢測產品對應的所述接觸孔和所述多晶硅圖形的套刻偏差和對應的所述接觸孔的圖像亮度的擬合曲線；

步驟二、提供所述被檢測產品，所述被檢測產品上形成有所述多晶硅圖形和所述接觸孔；采用所述電子束檢測設備對所述被檢測產品進行掃描并得到所述被檢測產品上和所述多晶硅圖形相套刻的所述接觸孔的圖像亮度；

步驟三、結合所述擬合曲線將所述被檢測產品對應的所述接觸孔的圖像亮度轉換為所述被檢測產品的所述接觸孔和所述多晶硅圖形的套刻偏差。

2.如權利要求1所述的接觸孔和多晶硅圖形的套刻偏差的檢測方法，其特征在于：步驟一中，形成所述擬合曲線的分步驟包括：

步驟11、通過在測試片上形成和所述被檢測產品相同的所述接觸孔和所述多晶硅圖形，而且在所述測試片上對所述接觸孔和所述多晶硅圖形之間的間距進行拉偏從而形成一系列大小不同的所述接觸孔和所述多晶硅圖形的套刻偏差；

步驟12、采用所述電子束檢測設備掃描所述測試片形成第一掃描圖片；

步驟13、在所述第一掃描圖片上確定各所述接觸孔的圖像亮度；

步驟14、將各所述接觸孔的圖像亮度和對應的所述套刻偏差進行擬合形成所述擬合曲線。

3.如權利要求2所述的接觸孔和多晶硅圖形的套刻偏差的檢測方法，其特征在于：步驟11中，所述測試片上，按照所述套刻偏差的大小按照一個反向逐漸增加或者逐漸減少以及各所述接觸孔按照所述套刻偏差漸變的方向排列，使得在所述套刻偏差漸變的方向上，所述接觸孔的位置和所述套刻偏差的大小一一對應；

步驟13中，各所述接觸孔的圖像亮度在所述第一掃描圖片中的位置和對應的所述接觸孔在所述測試片上的位置相對應，通過所述接觸孔的圖像亮度在所述第一掃描圖片中的位置確定所述接觸孔的圖像亮度所對應的所述套刻偏差大小。

4.如權利要求3所述的接觸孔和多晶硅圖形的套刻偏差的檢測方法，其特征在于：所述被檢測產品包括多個。

5.如權利要求4所述的接觸孔和多晶硅圖形的套刻偏差的檢測方法，其特征在于：當各所述被檢測產品的類型相同時，各所述被檢測產品共用相同的所述擬合曲線，所述擬合曲線僅需要在對第一個所述被檢測產品進行檢測之前形成即可。

6.如權利要求4所述的接觸孔和多晶硅圖形的套刻偏差的檢測方法，其特征在于：當各所述被檢測產品的類型包括多種時，在各種類型的第一個所述被檢測產品進行檢測之前進行步驟一并形成和所述被檢測產品的類型相對應的所述擬合曲線；步驟三中各種類型的所述被檢測產品采用和所述被檢測產品的類型相對應的所述擬合曲線。

7.如權利要求6所述的接觸孔和多晶硅圖形的套刻偏差的檢測方法，其特征在于：步驟11中，每一個所述測試片上僅形成有和一種類型的所述被檢測產品相同的所述接觸孔和所述多晶硅圖形；各種類型的所述被檢測產品對應的所述擬合曲線分別在不同的所述測試片上得到。

8.如權利要求6所述的接觸孔和多晶硅圖形的套刻偏差的檢測方法，其特征在于：步驟11中，每一個所述測試片上僅形成有和兩種以上類型的所述被檢測產品相同的所述接觸孔和所述多晶硅圖形，和不同類型的所述被檢測產品相同的所述接觸孔和所述多晶硅圖形形成在所述測試片的不同區域上；在同一所述測試片上形成兩種以上類型的所述被檢測產品對應的所述擬合曲線。

9.如權利要求4所述的接觸孔和多晶硅圖形的套刻偏差的檢測方法，其特征在于：所述被檢測產品包括SRAM產品或邏輯產品。