[發明專利]一種原子層沉積裝置及OLED封裝方法有效
| 申請號： | 202011386281.0 | 申請日： | 2020-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN112522683B | 公開（公告）日： | 2023-03-24 |
| 發明（設計）人： | 廖良生;朱穎暉;梁艦;祝曉釗;王艷華;馮敏強 | 申請（專利權）人： | 江蘇集萃有機光電技術研究所有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/455 | 分類號： | C23C16/455;H10K71/00;H10K50/844 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 原子 沉積 裝置 oled 封裝 方法 | ||
1.一種原子層沉積裝置，其特征在于，包括：
腔體(1)，所述腔體(1)的頂部上開設有第一進氣口(11)，所述腔體(1)的側壁上開設有第二進氣口(12)；
工作臺(2)，設置在所述腔體(1)的底部，用于放置工件(100)；
工件擋板(3)，間隔設置在所述工作臺(2)的上方，所述工件擋板(3)包括非遮擋區和無孔遮擋區，所述無孔遮擋區用于遮擋所述工件(100)的待成膜區，且從所述第一進氣口(11)和所述第二進氣口(12)進入的氣體能夠分路徑擴散至所述工件(100)的待成膜區；
所述工件擋板(3)的邊緣向上翹起形成第一氣流引導結構；
所述腔體(1)的側壁上設置有與所述第一氣流引導結構相對設置的第二氣流引導結構，且所述第二氣流引導結構位于所述第二進氣口(12)的上方。
2.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述非遮擋區上設置有開孔，所述開孔用于使從所述第一進氣口(11)進入的氣體通過。
3.根據權利要求2所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述非遮擋區與所述無孔遮擋區之間的過渡區上設置有多個微米級氣孔。
4.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述第二氣流引導結構的外表面為由外至內傾斜向下設置的弧面。
5.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述第二進氣口(12)由外至內傾斜向下設置。
6.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述工件擋板(3)可拆卸地設置在所述腔體(1)內。
7.根據權利要求6所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述腔體(1)的側壁上設置有支架(13)，所述工件擋板(3)可拆卸地設置在所述支架(13)上。
8.一種OLED封裝方法，其特征在于，基于如權利要求1-7任一項所述的原子層沉積裝置，包括如下步驟：
將OLED基底放置在工作臺(2)上，并將工件擋板(3)安裝于所述OLED基底上方；
從第一進氣口(11)提供第一反應氣體，沿第一路徑吸附在所述OLED基底待成膜表面；
利用氮氣吹掃置換腔體(1)內氣體氛圍；
從第二進氣口(12)提供第二反應氣體，沿第二路徑吸附在所述OLED基底待成膜表面。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
