[發(fā)明專(zhuān)利]雙面散熱大尺寸芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011385986.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112447625A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丁飛;曹立強(qiáng) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海先方半導(dǎo)體有限公司;華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/31 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/31;H01L23/367;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司: | 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 張東梅 |
| 地址: | 200000 上海市浦東新區(qū)自*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙面 散熱 尺寸 芯片 倒裝 封裝 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種雙面散熱大尺寸芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
芯片,其底面被配置為與散熱焊接層的頂面進(jìn)行焊接,所述散熱焊接層與芯片進(jìn)行熱傳導(dǎo);
散熱墊塊,其頂面被配置為與散熱焊接層的底面焊接,所述散熱墊塊與所述散熱焊接層進(jìn)行熱傳導(dǎo);
散熱器,其頂面被配置為與所述散熱墊塊的底面進(jìn)行熱傳導(dǎo)。
2.如權(quán)利要求1所述的雙面散熱大尺寸芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,芯片的底面為有源面;
芯片的材料為硅基、三五族化合物、碳化硅或氮化鎵;
芯片的底面中央?yún)^(qū)域具有焊接區(qū)域,所述焊接區(qū)域依次堆疊錫銀及電鍍銅層,所述焊接區(qū)域與散熱焊接層焊接,所述焊接區(qū)域的厚度為3~10μm;
所述散熱焊接層的長(zhǎng)度為20mm~50mm,所述散熱焊接層的寬度為20mm~50mm,所述散熱焊接層的高度為0.2mm~5mm;
芯片的底面邊緣區(qū)域分布有管腳,所述管腳與有機(jī)基板進(jìn)行焊接。
3.如權(quán)利要求2所述的雙面散熱大尺寸芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括有機(jī)基板,其中:
所述散熱墊塊為“凸”字形,包括第一基座及第一凸頂塊;
所述有機(jī)基板具有第一開(kāi)口,所述第一開(kāi)口與所述散熱焊接層正相對(duì);
所述第一凸頂塊嵌入所述第一開(kāi)口中,其頂面由所述第一開(kāi)口中暴露出;
所述第一開(kāi)口的長(zhǎng)度比所述散熱焊接層的長(zhǎng)度大0.5mm,所述第一開(kāi)口的寬度比所述散熱焊接層的寬度大0.5mm;
所述散熱墊塊的材質(zhì)為無(wú)氧銅、鎢銅或鉬銅。
4.如權(quán)利要求3所述的雙面散熱大尺寸芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述有機(jī)基板具有第二開(kāi)口,所述第二開(kāi)口與第一開(kāi)口貫通所述有機(jī)基板;
所述散熱墊塊的第一基座嵌入所述第二開(kāi)口中,且卡接在第一開(kāi)口與第二開(kāi)口的交界面;
所述第二開(kāi)口的長(zhǎng)度比所述第一基座的長(zhǎng)度大0.5mm,所述第二開(kāi)口的寬度比所述第一基座的寬度大0.5mm。
5.如權(quán)利要求3所述的雙面散熱大尺寸芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括散熱蓋,其中:
所述散熱蓋為“凹”字形,并倒扣在芯片上;
所述散熱蓋包括頂板及下柱,所述芯片的頂面與所述頂板進(jìn)行熱傳導(dǎo);
所述下柱朝向所述有機(jī)基板延伸;
所述有機(jī)基板與所述下柱之間具有粘膠層。
6.如權(quán)利要求5所述的雙面散熱大尺寸芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括散熱齒,其中:
所述散熱齒包括底板及齒板,所述底板與所述散熱蓋的頂面接觸,所述齒板向朝著所述散熱蓋的相反方向延伸;
所述散熱蓋的頂面與所述散熱齒進(jìn)行熱傳導(dǎo)。
7.如權(quán)利要求6所述的雙面散熱大尺寸芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述散熱齒與所述散熱蓋之間具有第一熱界面材料層;
所述散熱蓋與所述芯片之間具有第二熱界面材料層;
所述散熱墊塊與所述散熱器之間具有第三熱界面材料層。
8.如權(quán)利要求1所述的雙面散熱大尺寸芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括制備板級(jí)封裝用PCB板,其中:
所述散熱器為“凸”字形,包括第二基座及第二凸頂塊;
所述制備板級(jí)封裝用PCB板具有第三開(kāi)口,所述第三開(kāi)口與所述散熱墊塊正相對(duì);
所述第二凸頂塊嵌入所述第三開(kāi)口中,其頂面由所述第三開(kāi)口中暴露出。
9.一種雙面散熱大尺寸芯片倒裝封裝方法,其特征在于,包括:
制備芯片;
在芯片的底面焊接一散熱焊接層,所述散熱焊接層與芯片進(jìn)行熱傳導(dǎo);
將散熱焊接層的底面焊接至散熱墊塊的頂面,所述散熱墊塊與所述散熱焊接層進(jìn)行熱傳導(dǎo);
將散熱墊塊布置在散熱器的頂面上,所述散熱器與所述散熱墊塊的底面進(jìn)行熱傳導(dǎo)。
10.如權(quán)利要求9所述的雙面散熱大尺寸芯片倒裝封裝方法,其特征在于,還包括:
在芯片邊緣區(qū)域制備管腳,在芯片正面中央?yún)^(qū)域制備焊接區(qū)域,作為正面散熱焊接區(qū)域;
在有機(jī)基板的頂面正對(duì)焊接區(qū)域處形成第一開(kāi)口,在有機(jī)基板的底面正對(duì)第一開(kāi)口處形成第二開(kāi)口,將散熱墊塊卡接入有機(jī)基板;
芯片的焊接區(qū)域與散熱墊塊倒裝焊接,芯片的管腳與有機(jī)基板焊接,采用熱壓焊接或回流焊接,焊接后在焊接區(qū)域填充;
芯片的背面與散熱蓋連接,在有機(jī)基板的底面形成焊球;
將有機(jī)基板的底面與制備板級(jí)封裝用PCB板進(jìn)行回流焊接,焊接后將散熱墊塊與散熱器連接;
將散熱齒與散熱蓋連接。
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