[發明專利]3D邏輯芯片電容電路、存儲芯片電容電路及相關設備

有效

• 申請號: 202011385335.1
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112489702B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 于國慶;王嵩
• 申請（專利權）人: 西安紫光國芯半導體有限公司
• 主分類號: G11C5/10
• 分類號: G11C5/10;G11C5/14
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 吳瑩

1.一種3D邏輯芯片電容電路，其特征在于，包括：邏輯芯片功能電路和存儲芯片復用電容，

所述存儲芯片復用電容設置在所述邏輯芯片上，用于為所述邏輯芯片功能電路的耗電元件提供電荷，其中，所述存儲芯片復用電容還用于與存儲芯片相連接，并為存儲芯片功能電路提供電荷；

所述存儲芯片復用電容與所述邏輯芯片之間設置有第二開關，所述存儲芯片復用電容與所述第二開關之間設置有電平轉換模塊。

2.根據權利要求1所述的邏輯芯片電容電路，其特征在于，所述存儲芯片設置有第一開關，所述存儲芯片復用電容還用于連接所述第一開關，所述第一開關用于切換所述存儲芯片復用電容為所述存儲芯片功能電路提供電荷的工作狀態，

所述第二開關用于切換所述存儲芯片復用電容為所述邏輯芯片功能電路的耗電元件提供電荷的工作狀態。

3.根據權利要求2所述的邏輯芯片電容電路，其特征在于，所述第二開關設置在所述邏輯芯片上。

4.根據權利要求3所述的邏輯芯片電容電路，其特征在于，所述電平轉換模塊包括差分運算放大模塊，其中，所述第二開關用于在與其相連的差分運算放大模塊完成電平轉換并停止工作后閉合。

5.根據權利要求1所述的邏輯芯片電容電路，其特征在于，所述存儲芯片復用電容為設置有高介電常數介質層的高密度電容。

6.根據權利要求1所述的邏輯芯片電容電路，其特征在于，

所述存儲芯片復用電容通過3D-IC三維集成電路技術靠近所述邏輯芯片功能電路的耗電元件設置。

7.根據權利要求1所述的邏輯芯片電容電路，其特征在于，

所述存儲芯片復用電容為一個或兩個以上。

8.根據權利要求1所述的邏輯芯片電容電路，其特征在于，

所述邏輯芯片功能電路和/或所述存儲芯片功能電路包括開關電容電路，所述存儲芯片復用電容用于所述開關電容電路。

9.根據權利要求1所述的邏輯芯片電容電路，其特征在于，

所述邏輯芯片功能電路和/或所述存儲芯片功能電路包括線性穩壓電路，所述存儲芯片復用電容設置在所述線性穩壓電路的電壓輸出端。

10.根據權利要求1所述的邏輯芯片電容電路，其特征在于，

所述邏輯芯片功能電路和/或所述存儲芯片功能電路包括電荷泵電路，所述存儲芯片復用電容為所述電荷泵電路的自舉電容。

11.一種邏輯芯片，其特征在于：包括如權利要求1至10中任一項所述的邏輯芯片電容電路。

12.一種3D存儲芯片電容電路，其特征在于：包括：存儲芯片功能電路和存儲芯片復用電容，

所述存儲芯片復用電容設置在所述存儲芯片上，用于為所述存儲芯片功能電路提供電荷，其中，所述存儲芯片復用電容還用于與邏輯芯片相連接，并為邏輯芯片功能電路的耗電元件提供電荷；

所述存儲芯片復用電容與所述邏輯芯片之間設置有第二開關，所述存儲芯片復用電容與所述第二開關之間設置有電平轉換模塊。

13.根據權利要求12所述的存儲芯片電容電路，其特征在于，所述存儲芯片設置有第一開關，所述存儲芯片復用電容還用于連接所述第一開關，所述第一開關用于切換所述存儲芯片復用電容為所述存儲芯片功能電路提供電荷的工作狀態，

所述第二開關用于切換所述存儲芯片復用電容為所述邏輯芯片功能電路的耗電元件提供電荷的工作狀態。

14.根據權利要求13所述的存儲芯片電容電路，其特征在于，所述第二開關設置在所述存儲芯片上。

15.根據權利要求14所述的存儲芯片電容電路，其特征在于，所述存儲芯片復用電容與所述第一開關之間設置有電平轉換模塊。