[發明專利]用于基于鰭狀物的電子設備的固體源擴散結

在審

• 申請號: 202011383597.4
• 申請日: 2014-07-14
• 公開（公告）號: CN112670349A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: W·M·哈菲茲;C-H·簡
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/808
• 分類號: H01L29/808;H01L27/098;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L29/8605;H01L21/336;H01L21/337;H01L21/329
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝

描述了用于基于鰭狀物的電子設備的固體源擴散的結。在一個示例中，在襯底上形成鰭狀物。在襯底之上并且在鰭狀物的下部部分之上沉積第一摻雜劑類型的玻璃。在襯底和鰭狀物之上沉積第二摻雜劑類型的玻璃。對玻璃進行退火以將摻雜劑驅動到鰭狀物和襯底中。去除玻璃并且在鰭狀物之上形成不接觸鰭狀物的下部部分的第一接觸部和第二接觸部。

本申請為分案申請，其原申請是于2016年12月14日(國際申請日為 2014年7月14日)向中國專利局提交的專利申請，申請號為 201480079891.2，發明名稱為“用于基于鰭狀物的電子設備的固體源擴散結”。

技術領域

本公開內容涉及基于鰭狀物的電子設備，并且具體而言，涉及使用固體源擴散的結。

背景技術

單片集成電路典型地具有大量晶體管，例如制造在平面襯底(例如硅晶圓)之上的金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。片上系統(SoC) 架構在模擬和數字集成電路兩者中使用這樣的晶體管。當高速模擬電路集成在具有數字電路的單個單片結構上時，數字開關可能引入襯底噪聲，這限制了模擬電路的精度和線性度。

結柵型場效應晶體管(JFET)主要用在模擬應用中，這是由于它們提供的與標準MOSFET(金屬氧化物半導體FET)器件相比更優秀的低噪聲性能。JFET在射頻器件(例如，濾波器和平衡器)中是有用的，并且在用于電源的功率電路、功率調節器等中也是有用的。

使用注入結以建立背柵極、溝道、和頂柵極電極來在平面工藝技術的塊中制造JFET晶體管。使用注入的n型和p型阱以形成頂柵極和背柵極、以及源極和漏極接觸部來制造JFET。該體平面工藝可以使用形成在襯底上的鰭狀物來代替MOSFET器件。FET器件在鰭狀物上的形成已經被稱為 FinFET架構。

附圖說明

通過示例的方式，而非通過限制的方式在附圖的圖中示出了本發明的實施例，在附圖中，類似的附圖標記指代相似的元件。

圖1-4是根據本發明的實施例的鰭狀物架構上的p溝道電流流動控制柵極的截面側視圖和對應的前視圖。

圖5是根據本發明的實施例的鰭狀物架構上的n溝道電流流動控制柵極的截面側視圖。

圖6是根據本發明的實施例的在鰭狀物架構上具有多個柵極的p溝道電流流動控制器件的截面側視圖。

圖7-22是根據本發明的實施例的圖1的器件的制造階段的截面側視圖和對應的前視圖。

圖23-28是根據本發明的實施例的圖13-22的替代的制造階段的截面側視圖和對應的前視圖。

圖29是根據本發明的實施例的finFET架構上的晶體管的截面側視圖。

圖30是根據本發明的實施例的圖29的晶體管的電路圖。

圖31-55是根據本發明的實施例的圖29的晶體管的替代的制造階段的截面側視圖和對應的前視圖。

圖56是根據實施例的并入利用FinFET架構構建的集成電路并包括固體源擴散結的計算設備的框圖。

具體實施方式

高性能JFET可以制造在FinFET工藝架構的鰭狀物上。由于JFET的電氣特性依賴于其作為體傳輸器件的結構，所以采用與MOSFET器件相同的方式構建在鰭狀物上的JFET器件失去了其體傳輸和高電流的能力。然而，可以使用鰭狀物架構上的固體源擴散來構建JFET，以獲得用于片上系統工藝技術的高性能、可縮放器件。